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山東有研8寸單晶硅片拉制成功

英偉達(dá)與三星、美光合作制造新游戲芯片

“芯”基建-9：費(fèi)米能級(jí)：世界是平的？

我國(guó)將在第十四個(gè)“五年計(jì)劃”里協(xié)助開發(fā)7nm工藝（2021-2025）

海特高新：海威華芯已完成包括砷化鎵、氮化鎵、碳化硅等在內(nèi)的6大類工藝產(chǎn)品的研發(fā)

從MOCVD會(huì)議角度淺談半導(dǎo)體芯片仿真技術(shù)的重要性

IGBT行業(yè)專題報(bào)告：國(guó)產(chǎn)龍頭突圍，進(jìn)口替代進(jìn)行時(shí)

InGaN μLED外部量子效率改進(jìn)最新研究成果有望消除高性能μLED發(fā)展瓶頸

看完這篇漫畫，我才真正了解半導(dǎo)體傳感器！

湖南大學(xué)與中國(guó)電科48所開展戰(zhàn)略合作共同推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展

長(zhǎng)春光機(jī)所等研制出高靈敏度鈣鈦礦單晶-石墨烯復(fù)合垂直結(jié)構(gòu)光電探測(cè)器

氮化鎵挑起半導(dǎo)體界的大梁，進(jìn)入倒計(jì)時(shí)？

5G版iPhone會(huì)采用哪種技術(shù)？目前依舊說法不一

環(huán)球晶攜手國(guó)立交大，開發(fā)碳化硅等半導(dǎo)體材料技術(shù)

中國(guó)電科高能離子注入機(jī)研制獲重大突破系芯片制造核心裝備

蘋果公布超薄觸摸顯示技術(shù)專利：可直接減少顯示屏層的結(jié)構(gòu)

軍民融合+進(jìn)口替代正當(dāng)時(shí)——世界領(lǐng)先的GaAs和GaN混合集成微波功率放大器量產(chǎn)

佳能發(fā)售半導(dǎo)體光刻機(jī)“FPA-8000iW”：可應(yīng)對(duì)大型方形基板且解像力達(dá)1.0微米

科研人員制備出具有寬譜帶白光發(fā)射的非鉛鈣鈦礦膠體納米晶

周期倍增鎖模光纖激光器研究獲進(jìn)展

蘋果5Ｗ充電頭確定將走入歷史，GaN快充即將取而代之？

大口徑無曲翹！日本開發(fā)出有助于節(jié)能的氮化鎵單晶基板量產(chǎn)法

碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC助力降低5G基站成本

至少節(jié)約30%的功耗，碳基芯片或?qū)⒆屩袊?guó)半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)“彎道超車”

射頻芯片千億空間，國(guó)產(chǎn)替代曙光乍現(xiàn)

“芯基建”-5：異質(zhì)集成：1個(gè)蘋果+1個(gè)蘋果≥2個(gè)蘋果

GSMA和O-RAN聯(lián)盟宣布：將共同努力推動(dòng)5G時(shí)代采用OpenRAN

5nm工藝起飛 ASML宣布全新半導(dǎo)體技術(shù)：產(chǎn)能大漲600%！

GaN世界國(guó)產(chǎn)模擬芯片突破！AC-DC電源頭部設(shè)計(jì)公司的技術(shù)創(chuàng)新之路！

ASML公布新半導(dǎo)體技術(shù) 5nm產(chǎn)能有望暴漲

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