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“第三代半導(dǎo)體技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)培訓(xùn)”在鹽城成功舉辦

公開征集 | 2025年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展

邀請(qǐng)函|國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）邀您共赴2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)

公開征集 | 關(guān)于開展2025年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展評(píng)選工作的通知

2025云南晶體大會(huì)前瞻|國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）梁劍波：GaAs與Si及GaN的常溫異質(zhì)接合研究

IEEE電力電子學(xué)會(huì)(PELS)國(guó)際寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(huì)（ITRW）會(huì)議在北京成功舉辦

邀請(qǐng)函|國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）邀您共赴第六屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議

關(guān)于申報(bào)2025年度國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）“揭榜掛帥”的通知

晶能與中車時(shí)代半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，推動(dòng)功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新突破

邀請(qǐng)函 | 2025先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展(CASTAS)邀您11月相聚廈門！

CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進(jìn)展

CASICON重慶站：全面聚焦氮化鎵、氧化鎵、金剛石功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用發(fā)展

韓報(bào)告：大多數(shù)半導(dǎo)體技術(shù)被中國(guó)趕超

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請(qǐng)一種功率開關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)展（二）|IFWS&SSLCHINA2024

超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)展（一）|IFWS&SSLCHINA2024

FLAB，三代特色半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新模式探索| IFWS&SSLCHINA2024

商務(wù)部：推動(dòng)國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）高質(zhì)量發(fā)展

2024年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展重磅揭曉 | IFWS&SSLCHINA2024

2024寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖研討會(huì)成功舉行

2024年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展揭曉

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長(zhǎng)裝置專利，提高晶體生長(zhǎng)速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）邀您同聚11月IFWS & SSLCHINA2024

IFWS2024：超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)分會(huì)日程出爐

英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革

助力汽車半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，2025 廣州國(guó)際新能源汽車功率半導(dǎo)體技術(shù)展覽會(huì)與您相約“羊城”廣州

萬業(yè)企業(yè)與國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心簽署戰(zhàn)略協(xié)議

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SEMiBAY/灣芯展| 800+展商齊聚化合物半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會(huì)，10月16-18日深圳見！

CASICON上海站| 第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇上海召開

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