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工業(yè)和信息化部專題研究部署推動人工智能產業(yè)發(fā)展和賦能新型工業(yè)化

半導體所在植入式腦機接口器件研究方面取得新進展

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學賀小敏：氧化鎵異質外延生長及材料特性研究

CSPSD 2025前瞻|上海大學任開琳：E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性增強研究

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實驗研究

CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學南通研究院邀您同聚“2025功率半導體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|復旦大學劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究

CSPSD 2025前瞻|中國科學技術大學楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學張進成:鎵系半導體功率器件研究進展

CSPSD 2025前瞻|東南大學劉斯揚：功率半導體集成技術研究進展

CSPSD 2025前瞻|山東大學彭燕：基于金剛石/碳化硅新型異質散熱結構的器件應用研究

CSPSD 2025前瞻|中國科學技術大學徐光偉：基于摻雜調控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

研究機構：2024年全球芯片市場規(guī)模達6830億美元，英飛凌、意法半導體跌出前十

CSPSD 2025前瞻|中電科四十六所蘭飛飛：金剛石材料研究進展

CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陳中圓：基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結溫測量方法研究

CSPSD 2025前瞻|九峰山實驗室袁?。盒滦投嗉墱喜垩趸壒β势骷?span id="jnlz7hn" class="highlight">研究

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學宋慶文：高性能SiC功率器件關鍵技術研究進展

CSPSD 2025前瞻|江南大學黃偉：高性能宇航級SGT功率器件與輻照模型研究

CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜軍：P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進方法

CSPSD 2025前瞻|南京大學周峰：氮化鎵功率器件輻射效應與加固技術研究

西湖大學光電研究院仇旻當選歐洲科學院院士

中國科學院寧波材料技術與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進展

中國科學院半導體研究所光電子材料與器件全國重點實驗室誠邀全球英才加盟

中車株洲電力機車研究所李東林在人民大會堂接受“全國勞動模范”表彰

中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所投影式光刻機采購項目（第二次）公開招標公告

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復旦大學先進光刻膠材料教育部工程研究中心正式成立

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

廈門大學-廈門市未來顯示技術研究院團隊在鈣鈦礦窄帶光電探測器研究中取得重要突破

國內首個！中國電科產業(yè)基礎研究院研發(fā)金剛石氮空位色心微波激射器

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