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氮化鎵外延層中位錯輔助的電子和空穴傳輸研究取得進(jìn)展

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所特別研究助理（博士后）招聘啟事

長春光機(jī)所聯(lián)合東方理工大學(xué)研究團(tuán)隊在寬禁帶氮化物載流子動力學(xué)研究方面取得重要進(jìn)展

中國科學(xué)院微電子研究所在EUV光刻收集鏡紅外輻射抑制方面取得新進(jìn)展

北京大學(xué)王新強、王平、王濤團(tuán)隊在纖鋅礦氮化物鐵電半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在低維半導(dǎo)體偏振光探測方面取得系列進(jìn)展

【年薪可達(dá)50萬】廈門大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究組2025年誠聘博士后（理論計算模擬方向）

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所獲批“北京國際科技合作基地”

Wolfspeed與紐約州立大學(xué)理工學(xué)院加強教育研究合作，助力推動碳化硅技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展

[誠邀英才]新加坡科技研究局（A*STAR）微電子研究所（IME）功率半導(dǎo)體團(tuán)隊

中國科大微電子學(xué)院胡詣?wù)芙淌谡n題組在極低抖動高速鎖相環(huán)芯片研究中取得重要突破

國家重點研發(fā)計劃“氧化鎵單片功率電子集成器件研究”項目啟動會暨實施方案論證會成功召開

南京大學(xué)團(tuán)隊在國際功率半導(dǎo)體會議ISPSD上發(fā)布兩項宇航用氮化鎵功率器件輻照效應(yīng)研究成果

深圳平湖實驗室GaN課題組劉軒博士研究成果亮相國際頂級學(xué)術(shù)會議ISPSD2025

復(fù)旦大學(xué)研究人員等在新型半導(dǎo)體表界面結(jié)構(gòu)與缺陷研究方面取得系列進(jìn)展

浙江大學(xué)團(tuán)隊多項碳化硅、氧化鎵相關(guān)研究成果閃耀I(xiàn)EEE ISPSD 2025

臺積電-東京大學(xué)實驗室啟用，雙方聯(lián)手推動半導(dǎo)體研究和教育

工業(yè)和信息化部專題研究部署推動人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展和賦能新型工業(yè)化

半導(dǎo)體所在植入式腦機(jī)接口器件研究方面取得新進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學(xué)賀小敏：氧化鎵異質(zhì)外延生長及材料特性研究

CSPSD 2025前瞻|上海大學(xué)任開琳：E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性增強研究

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負(fù)柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實驗研究

CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學(xué)南通研究院邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|復(fù)旦大學(xué)劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)張進(jìn)成:鎵系半導(dǎo)體功率器件研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)劉斯揚：功率半導(dǎo)體集成技術(shù)研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)彭燕：基于金剛石/碳化硅新型異質(zhì)散熱結(jié)構(gòu)的器件應(yīng)用研究

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

研究機(jī)構(gòu)：2024年全球芯片市場規(guī)模達(dá)6830億美元，英飛凌、意法半導(dǎo)體跌出前十

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