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奕斯偉“晶圓倒角裝置和晶圓倒角方法”專利公布

泰科天潤“一種低反向恢復干擾平面柵VDMOS及其制備方法”專利公布

安徽格恩半導體申請氮化鎵基半導體激光器元件專利，提升限制因子

晶合集成獲得實用新型專利授權：“一種半導體芯片的測試裝置”

三星收購部分英特爾半導體專利權

馳芯半導體“一種用于UWB的定時恢復方法及裝置”專利獲授權

敏芯股份入選江蘇省國家專利產業(yè)化樣板企業(yè)培育庫

光谷這些高校、企業(yè)獲中國專利獎

晶盛機電獲得發(fā)明專利授權：“碳化硅晶錠激光切割方法及切割系統(tǒng)”

上海積塔半導體取得半導體結構專利，提升開關驅動效率

北方華創(chuàng)“半導體設備的工藝腔室”專利公布

專利公開 | 多家單位半導體激光器相關專利申請/授權公開

甬矽電子獲得發(fā)明專利授權：“半導體封裝方法和半導體封裝結構”

晶合集成獲得發(fā)明專利授權：“半導體結構及其制作方法”

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

中科飛測“轉換關系獲取方法、檢測方法和相關設備”專利公布

泰科天潤“一種超結快恢復平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布

瑤芯微申請溝槽型MOSFET器件結構及其制備方法專利，降低器件動態(tài)損耗

長光華芯“半導體光子晶體發(fā)光結構及其制備方法”專利公布

重慶萬國半導體申請溝槽型功率半導體器件及其制備方法專利，提高開關速度與線性區(qū)能力

蘇州晶湛半導體申請發(fā)光器件相關專利，提高了發(fā)光器件生產良率

三安半導體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

廣州南砂晶圓申請用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及應用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質量

廣東比亞迪節(jié)能科技申請MEMS器件及其封裝方法專利，降低主體晶圓與襯底晶圓封裝難度

蘇州長光華芯取得模式調控半導體發(fā)光結構及其制備方法專利

中科新源半導體“一種半導體芯片升降溫用微射流換熱裝置”專利公布

瀚天天成申請降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷專利，可提高碳化硅外延片質量

英飛凌科技申請功率半導體器件相關專利，提升功率半導體器件性能

中芯國際申請半導體結構及其形成方法專利，提高半導體結構的電學性能

黑龍江匯芯半導體申請集成有SiC功率器件短路保護的智能功率模塊專利，短路保護精度和效率更高

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