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大族激光：預(yù)測未來幾年東南亞PCB產(chǎn)業(yè)復(fù)合成長率將超中國

基于新型SiC復(fù)合襯底的低成本MOSFET取得重要進(jìn)展

上海瑞華晟申請SiC/SiC復(fù)合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

昕感科技申請一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯(cuò)率

1萬伏！我國實(shí)現(xiàn)6英寸AlN單晶復(fù)合襯底和晶圓制造全流程突破

積塔半導(dǎo)體BCD復(fù)合高壓隔離器平臺開發(fā)團(tuán)隊(duì)：積沙成塔，用“芯”取得新突破

呂堅(jiān)院士團(tuán)隊(duì) l 3D打印莫來石增強(qiáng)的碳化硅氣凝膠復(fù)合材料

填補(bǔ)國內(nèi)空白！首條先進(jìn)半導(dǎo)體復(fù)合襯底產(chǎn)線通線

機(jī)構(gòu)：半導(dǎo)體需求復(fù)合年增長8.8% 技術(shù)與創(chuàng)新推動增長

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團(tuán)隊(duì)在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進(jìn)展

IFWS 2023│華南師范大學(xué)尹以安：具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究

SSLCHINA2023│河北工業(yè)大學(xué)徐庶：量子點(diǎn)氧化物復(fù)合材料的制備及LED應(yīng)用

機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)電力和能源行業(yè)專用半導(dǎo)體從2022年-2027年將以8%的復(fù)合年增長率增長

報(bào)告：Micro LED市場規(guī)模2028年達(dá)8億美元，未來五年復(fù)合年增長率達(dá)70.4%

青禾晶元天津復(fù)合襯底產(chǎn)線在濱海高新區(qū)正式通線

Yole：2027年功率 GaN 器件市場價(jià)值或達(dá)20 億美元，預(yù)期年復(fù)合增長率高達(dá) 59%

青禾晶元天津復(fù)合襯底產(chǎn)線投入使用

首次突破萬億！近10年我國集成電路產(chǎn)業(yè)復(fù)合增長率19%

中微公司連續(xù)6年?duì)I收年均復(fù)合增長率大于38%，2023年達(dá)到現(xiàn)有廠房規(guī)模的15倍以上

高導(dǎo)熱金剛石/銅復(fù)合材料的制備與界面調(diào)控研究進(jìn)展

基于微結(jié)構(gòu)納米復(fù)合薄膜的超靈敏柔性壓力傳感器

東芯股份：公司總體產(chǎn)能比較樂觀，復(fù)合增長預(yù)期

Omdia：到2025年汽車用半導(dǎo)體行業(yè)年復(fù)合增長率將達(dá)到12.3%

北京大學(xué)王柳冰：通過引入透明復(fù)合p型層和Ag納米點(diǎn)/Al反射電極相結(jié)合提高深紫外LED的光提取效率

中信證券：?？低曃磥?-5年有望保持超20%的復(fù)合增速

“十三五”期間南京集成電路產(chǎn)值年均復(fù)合增長率達(dá)65%

市場預(yù)測 | 射頻前端市場 2020-2025年復(fù)合增長率6%

到2026年，RF GaN市場將以30.58％的復(fù)合年增長率增長至3.574億美元

深圳第三代半導(dǎo)體研究院楊安麗：抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復(fù)合提高層”設(shè)計(jì)

長春光機(jī)所等研制出高靈敏度鈣鈦礦單晶-石墨烯復(fù)合垂直結(jié)構(gòu)光電探測器

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