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晶升股份實(shí)現(xiàn)碳化硅材料制備關(guān)鍵環(huán)節(jié)全覆蓋

泰科天潤“一種低反向恢復(fù)干擾平面柵VDMOS及其制備方法”專利公布

國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應(yīng)釜設(shè)計(jì)制造技術(shù)”項(xiàng)目啟動(dòng)暨實(shí)施方案論證會(huì)召開

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室成功制備國內(nèi)首個(gè)氮化鋁/富鋁鎵氮高電子遷移率晶體管

鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)6英寸斜切氧化鎵襯底制備

沙特KAUST李曉航團(tuán)隊(duì)：STO新型制備工藝實(shí)現(xiàn)2.3微米超小尺寸深紫外Micro-LED

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

南京工業(yè)大學(xué)先進(jìn)材料AM：界面誘導(dǎo)生長法制備高效錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

高純硅粉制備氮化硅陶瓷

泰科天潤“一種超結(jié)快恢復(fù)平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布

瑤芯微申請(qǐng)溝槽型MOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低器件動(dòng)態(tài)損耗

長光華芯“半導(dǎo)體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法”專利公布

重慶萬國半導(dǎo)體申請(qǐng)溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高開關(guān)速度與線性區(qū)能力

三安半導(dǎo)體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

蘇州長光華芯取得模式調(diào)控半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法專利

全球首創(chuàng)！九峰山實(shí)驗(yàn)室在氮極性氮化鎵材料制備領(lǐng)域取得新突破

泰科天潤“一種高可靠平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布

西安交大科研人員制備出全球首款六方氮化硼同質(zhì)結(jié)深紫外LED芯片

長春光機(jī)所優(yōu)化并制備出高亮度HiBBEE非均勻波導(dǎo)半導(dǎo)體激光器

紫光同芯“一種SGT器件及其制備方法”專利公布

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布

鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)4英寸氧化鎵單晶

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

甬江實(shí)驗(yàn)室信息材料與微納器件制備平臺(tái)正式投用

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

成都士蘭半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低外延自摻雜效應(yīng)

長光華芯“一種釋放氧化應(yīng)力的VCSEL芯片及其制備方法”專利獲授權(quán)

香港大學(xué)等聯(lián)合開發(fā)革命性鉆石制備技術(shù) 10秒產(chǎn)出2英寸金剛石晶圓

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