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極鉬芯科技攜手南京大學(xué)榮登《Science》！突破二維半導(dǎo)體單晶制備關(guān)鍵技術(shù)

科友半導(dǎo)體成功制備12英寸半絕緣碳化硅單晶，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破

上海光機(jī)所在硼硅、硼鎢共摻金剛石的制備與性能研究方面取得新進(jìn)展

攻克行業(yè)空白！中鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)6/8英寸GaN襯底制備

2025云南晶體大會前瞻|?中國科學(xué)院半導(dǎo)體所沈桂英：InP、GaSb與InAs單晶生長、襯底制備及缺陷研究進(jìn)展

2025云南晶體大會前瞻|廈門大學(xué)盧衛(wèi)芳：GaN/InGaN基核-殼納米結(jié)構(gòu)選區(qū)外延及其Micro-LED器件制備研究

2025云南晶體大會前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

突破12英寸！科友半導(dǎo)體成功制備12英寸碳化硅晶體

突破12英寸！科友半導(dǎo)體成功制備12英寸碳化硅晶體

華芯晶電獲批合物半導(dǎo)體單晶襯底制備技術(shù)山東省工程研究中心

北京大學(xué)許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)高性能中波紫外發(fā)光器件制備

晶升股份實(shí)現(xiàn)碳化硅材料制備關(guān)鍵環(huán)節(jié)全覆蓋

泰科天潤“一種低反向恢復(fù)干擾平面柵VDMOS及其制備方法”專利公布

國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應(yīng)釜設(shè)計(jì)制造技術(shù)”項(xiàng)目啟動暨實(shí)施方案論證會召開

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室成功制備國內(nèi)首個(gè)氮化鋁/富鋁鎵氮高電子遷移率晶體管

鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)晶圓級6英寸斜切氧化鎵襯底制備

沙特KAUST李曉航團(tuán)隊(duì)：STO新型制備工藝實(shí)現(xiàn)2.3微米超小尺寸深紫外Micro-LED

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

南京工業(yè)大學(xué)先進(jìn)材料AM：界面誘導(dǎo)生長法制備高效錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

高純硅粉制備氮化硅陶瓷

泰科天潤“一種超結(jié)快恢復(fù)平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布

瑤芯微申請溝槽型MOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低器件動態(tài)損耗

長光華芯“半導(dǎo)體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法”專利公布

重慶萬國半導(dǎo)體申請溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高開關(guān)速度與線性區(qū)能力

三安半導(dǎo)體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

蘇州長光華芯取得模式調(diào)控半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法專利

全球首創(chuàng)！九峰山實(shí)驗(yàn)室在氮極性氮化鎵材料制備領(lǐng)域取得新突破

泰科天潤“一種高可靠平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布

西安交大科研人員制備出全球首款六方氮化硼同質(zhì)結(jié)深紫外LED芯片

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