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中國(guó)科大研制出一種全方向表面等離子體波照明器件

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)成功研制無(wú)閾值電壓負(fù)漂650V/10A增強(qiáng)型GaN器件

CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進(jìn)展

工信部：加快自動(dòng)駕駛系統(tǒng)安全要求強(qiáng)制性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)研制

浙江大學(xué)研制出90納米像素尺寸LED

2025JFSC平行論壇11丨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品評(píng)測(cè)與標(biāo)準(zhǔn)研制，精彩議題搶先看

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)團(tuán)隊(duì)研制出毫秒級(jí)可集成量子存儲(chǔ)器

全球首發(fā)！復(fù)旦團(tuán)隊(duì)研制二維半導(dǎo)體芯片“無(wú)極”

實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破！我國(guó)成功研制出這一光子芯片

研制成功！我國(guó)團(tuán)隊(duì)在氧化鎵日盲光電探測(cè)器領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

總投資8億元！御微半導(dǎo)體設(shè)備研制項(xiàng)目簽約落地浦東

中國(guó)首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過(guò)太空驗(yàn)證

中國(guó)太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗(yàn)證

核能安全所在超寬禁帶材料半導(dǎo)體輻射探測(cè)器研制方面取得新進(jìn)展

中南大學(xué)團(tuán)隊(duì)研制出偏振、諧振腔等光場(chǎng)調(diào)控Micro-LEDs

中國(guó)科學(xué)院研制出新型鋯鈦酸鉛光子集成工藝開(kāi)發(fā)套件

鎵仁半導(dǎo)體成功研制氧化鎵超薄6英寸襯底

中航紅外新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目啟動(dòng)生產(chǎn)線調(diào)試

清華大學(xué)功率半導(dǎo)體用氮化硅基板燒結(jié)裝備研制項(xiàng)目簽約湖南企業(yè)

上海臨港新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目通過(guò)竣工驗(yàn)收

上海臨港新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目通過(guò)竣工驗(yàn)收

青禾晶元領(lǐng)跑國(guó)際，成功研制8寸高性能濾波器用壓電材料POI襯底

半導(dǎo)體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

聯(lián)合攻關(guān)成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團(tuán)隊(duì)成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)晶體管！

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在脈沖型人工視覺(jué)芯片研制取得新進(jìn)展

半導(dǎo)體所在2D/3D雙模視覺(jué)處理芯片研制取得新進(jìn)展

山東粵海金成功研制出8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶與襯底片

日本團(tuán)隊(duì)：金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展

上海新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目全面封頂

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