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開幕倒計時60天！即刻注冊IFWS&SSLCHINA 2025，搶占第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點！

2025云南晶體大會前瞻|路明科技集團肖志國：固體發(fā)光技術(shù)引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)變革

2025云南晶體大會前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體所徐馳：從氣體源到器件：面向下一代信息技術(shù)的硅-鍺-錫類半導(dǎo)體全流程研究

2025云南晶體大會前瞻|同光半導(dǎo)體王?。禾魬?zhàn)與機遇并存 -- 碳化硅材料市場發(fā)展現(xiàn)狀及展望

2025云南晶體大會前瞻|西安電子科技大學(xué)陶鴻昌：氧化鎵異質(zhì)外延成核調(diào)控及肖特基二極管（SBD）勢壘均勻性研究

2025云南晶體大會前瞻|廈門大學(xué)盧衛(wèi)芳：GaN/InGaN基核-殼納米結(jié)構(gòu)選區(qū)外延及其Micro-LED器件制備研究

會議通知 | 2025（前灣）第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會

2025云南晶體大會前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

2025云南晶體大會前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體所張韻：鎵體系半導(dǎo)體材料與集成電路發(fā)展展望

2025云南晶體大會前瞻|中電科第四十八研究所謝添樂：寬禁帶化合物半導(dǎo)體外延關(guān)鍵裝備解決方案

2025云南晶體大會前瞻|北京大學(xué)王嘉銘：III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結(jié)構(gòu)堆垛研究

2025云南晶體大會前瞻|云南大學(xué)楊杰：III-V族和IV族半導(dǎo)體晶片及其外延材料的缺陷溯源分析

2025云南晶體大會前瞻|鑫耀半導(dǎo)體韋華：VGF法磷化銦熱場優(yōu)化控制對單晶缺陷形成的影響

2025云南晶體大會前瞻|昆明云鍺李寶學(xué)：大尺寸紅外鍺單晶的研究進展

2025云南晶體大會前瞻|云南師范大學(xué)郭杰：鍺硫?qū)倩衔颎e-VIA（GeS/GeSe/GeTe）二維材料的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性研究

2025云南晶體大會前瞻|天科合達劉春?。捍蟪叽缣蓟枰r底和外延產(chǎn)業(yè)進展

突發(fā)！美國撤銷7家中國實驗室機構(gòu)的認證許可！

SiC 新型功率 MOS 器件結(jié)構(gòu)以及柵驅(qū)動電路的設(shè)計與研究

2025云南晶體大會前瞻|浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心韓學(xué)峰：PVT法生長4H-SiC晶體的缺陷形成與摻雜機理研究

2025云南晶體大會前瞻|西安電子科技大學(xué)寧靜：超寬禁帶半導(dǎo)體范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)及器件研究

2025云南晶體大會前瞻|云南臨滄鑫圓鍺業(yè)包世濤：中國鍺產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與高質(zhì)量發(fā)展路徑展望

2025云南晶體大會前瞻|云南大學(xué)王茺：GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長機理及其光電探測性能研究

2025云南晶體大會前瞻|云南大學(xué)邱鋒：晶體本征缺陷的理論研究及晶片表面非故意缺陷的性能調(diào)控

標準 | 長春光機所牽頭的3項光治療用柔性LED光源測試標準正式發(fā)布

2025云南晶體大會前瞻|云南大學(xué)史衍麗：1550nm InP/InGaAs 單光子探測器

2025云南晶體大會前瞻|南京大學(xué)修向前：氮化鎵襯底生長工藝及設(shè)備技術(shù)研究

2025云南晶體大會前瞻|連科半導(dǎo)體胡動力：8/12吋碳化硅長晶爐技術(shù)進展及發(fā)展方向

2025云南晶體大會前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所楊曉光：硅基III-V族材料外延及異質(zhì)集成研究進展

2025云南晶體大會前瞻| 昆明理工大學(xué)鄧家云:磷化銦晶圓力學(xué)性能與加工性能研究

突發(fā)！美國撤銷臺積電大陸廠半導(dǎo)體設(shè)備豁免

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