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突發(fā)！美國EDA制造商或停止對華供貨！

國產(chǎn)碳化硅企業(yè)基本半導(dǎo)體，遞表港交所！

中國批準(zhǔn)向韓國企業(yè)出口稀土

標(biāo)準(zhǔn) |《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法》發(fā)布

美國芯片四巨頭呼吁特朗普政府免除半導(dǎo)體關(guān)稅

CSPSD2025 | 近30位專家學(xué)者齊聚探討氮化鎵及超寬禁帶功率器件新未來！

CSPSD2025 | 二十余位專家學(xué)者共話硅、碳化硅器件及其他高壓功率器件新進(jìn)展！

CSA聯(lián)盟參加 "汽車產(chǎn)業(yè)新材料與跨領(lǐng)域合作交流會"

CSA聯(lián)盟秘書長阮軍受邀參加2025年國際汽車新材料大會并主持智能顯示新材料分會

TCL與阿里云達(dá)成全棧AI戰(zhàn)略合作，打造半導(dǎo)體顯示“最強(qiáng)大腦”

2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD2025）在南京盛大召開

新微半導(dǎo)體總經(jīng)理王慶宇應(yīng)邀出席2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議并發(fā)表主旨演講

中國半導(dǎo)體2025下半場：四大領(lǐng)域分化突圍

成都高新區(qū)微波射頻產(chǎn)業(yè)園（西區(qū)）開建

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學(xué)賀小敏：氧化鎵異質(zhì)外延生長及材料特性研究

開幕在即 | 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）5月22-24日南京見!

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

標(biāo)準(zhǔn) |華峰測控牽頭的3項(xiàng)SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

標(biāo)準(zhǔn) | ALN位錯(cuò)密度/吸收系數(shù) 2項(xiàng)測試方法發(fā)布

浙江12英寸CMOS二期項(xiàng)目建設(shè)迎新進(jìn)展

美國商務(wù)部調(diào)整芯片出口管制，中方回應(yīng)

CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學(xué)陳靜：智能TCAD技術(shù)—AI賦能微納電子器件的仿真、建模與設(shè)計(jì)

CSPSD 2025前瞻|上海大學(xué)任開琳：E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性增強(qiáng)研究

2025車用功率半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)培訓(xùn)會在廣州南沙成功舉辦

CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)魏家行：碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|超芯星邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|鎵和半導(dǎo)體邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|愛發(fā)科邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學(xué)南通研究院邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|揚(yáng)杰科技邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

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