9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，云南大學副研究員、云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司科技副總經理楊杰將受邀出席論壇，并帶來《III-V族和IV族半導體晶片及其外延材料的缺陷溯源分析》的主題報告，敬請關注！
嘉賓簡介
楊杰，云南大學副研究員，碩導，云南省興滇英才青年人才，云南省引進高層次人才，云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司科技副總經理。主要從事低維IV族半導體光電材料及大尺寸III-V族晶圓精密加工與缺陷等研究。涉及納米線、量子點、外延薄膜及其低維復合結構等新材料與器件的構建，聚焦大尺寸Ge晶圓、InP、GaAs和銻化物晶圓的精密加工及其外延缺陷分析。承擔國家自然科學基金、云南省重大科技專項計劃等項目10余項，在Advanced Functional Materials, Small等高水平期刊發(fā)表研究論文70余篇，授權專利10余項，獲得云南省自然科學一等獎1項。
單位簡介
云南大學光電子與能源材料團隊一直圍繞非制冷探測材料與器件、Si基光電器件、鈣鈦礦太陽電池與探測器、III-V族晶片及紅外探測材料開展研究，形成了一支富有創(chuàng)新力的研究團隊，承擔了多項國家自然科學基金項目和云南省重大科技專項項目，在光電材料和器件的研究方面分別獲得了云南省科學技術獎自然科學類一、二、三等獎。
云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司是集鍺礦開采選、精深加工、光電半導體材料研發(fā)及生產為一體的國家高新技術企業(yè)，是亞洲最大、產業(yè)鏈最完整的鍺行業(yè)龍頭企業(yè)。擁有國家級企業(yè)技術中心、光電半導體材料聯(lián)合實驗室等先進研發(fā)平臺，是國家工信部認定的“國家技術創(chuàng)新示范企業(yè)”、第六批制造業(yè)單項冠軍示范企業(yè)。公司擁有以干勇、李樹深、梁駿吾、胡文瑞、葉銘漢、鄭志鵬院士為核心的院士專家團隊，建有2個院士工作站、2個專家工作站和博士后工作站。制定國家鍺行業(yè)標準41項，承擔國家、省部級重大專項課題10余項，獲得云南省標準化創(chuàng)新貢獻獎、云南省技術發(fā)明一等獎等各級科技獎勵10余項，獲得授權專利185件，掌握鍺、砷化鎵、磷化銦等半導體材料加工關鍵技術48項。
報告前瞻
報告題目：III-V族和IV族半導體晶片及其外延材料的缺陷溯源分析
報告摘要：半導體晶片及其外延材料是制造射頻器件和光電子器件（如發(fā)光二極管、激光器和太陽電池）的基石材料，然而這些材料并非完美晶體，晶體中的缺陷會成為載流子（電子和空穴）的“陷阱”或“散射中心”，嚴重劣化器件的性能、可靠性、良品率和壽命。因此，研究半導體材料缺陷的形成機理、表征方法、控制與抑制技術，是推動半導體技術進步、保障產業(yè)健康發(fā)展和維護國家科技競爭力的核心環(huán)節(jié)。本研究圍繞III-V族（GaAs、InP）和IV族（Ge）半導體晶片及其外延材料的缺陷展開溯源分析，指導晶體生長和晶片加工工藝的優(yōu)化，尋找晶片質量與外延生長工藝的匹配關系。GaAs晶體中的G點缺陷由雜質引起，GaAs晶片表面的氧化層組分差異導致了其外延薄膜顆粒度的增加。在InP晶片的外延薄膜中觀察到了彗星、邊緣顆粒和麻點缺陷，分別對這三種缺陷的形成原因進行了測試分析。Ge晶片的外延薄膜出現(xiàn)了亮點、局部霧面和水紋等缺陷，討論了Ge晶片質量與外延缺陷的關聯(lián)。通過對這些缺陷的深入研究，提高了產品良率，降低了研發(fā)和生產成本，為同類型缺陷問題的解決提供了借鑒。
附會議信息：
【會議時間】 2025年9月26-28日
【會議地點】云南·昆明
【指導單位】
第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
中關村半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）
【主辦單位】
云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司
極智半導體產業(yè)網（www.huizhouyinshua.cn）
半導體照明網(www.china-led.net)
第三代半導體產業(yè)
【承辦單位】
云南鑫耀半導體材料有限公司
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
【支持單位】
賽迪智庫集成電路研究所
中國科學院半導體研究所
云南大學
山東大學
云南師范大學
昆明理工大學
晶體材料全國重點實驗室
.....
【關鍵材料】
1、鍺、硅、砷化鎵、磷化銦等半導體材料生長與加工關鍵技術、器件工藝及應用研究；
2、氮化鎵、碳化硅等第三代半導體材料生長與加工關鍵技術、器件工藝及應用研究；
3、氮化鋁、金剛石、氧化鎵等超寬禁帶半導體材料生長與加工關鍵技術、器件工藝及應用研究；
【主要方向】
1.化合物半導體單晶與外延材料
（砷化鎵，磷化銦，氮化鎵，碳化硅，氮化鋁，氧化鎵，氮化硼，藍寶石，鈮酸鋰等晶體、外延生長及模擬設計等）
2. 硅、高純鍺及鍺基材料
（大硅片生長及及應用，直拉法或區(qū)熔法等單晶生長，原料提純，GeSi、GeSn、GeC 等多元單晶薄膜，切片與機械拋光，摻雜調控離子注入等）
3.高純金屬、原輔料制備及晶體外延生長與加工關鍵裝備
（高純前驅體，高純試劑，高純氣體，高純粉體， 長晶爐，MOCVD, MBE, LPE，PVT 等外延生長裝備，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及拋光設備與材料，檢測設備等）
4.測試評價及AI for Science
（AI 驅動的測試評價革新， 缺陷工程與摻雜策略、晶體生長智能調控、缺陷實時檢測與修復，多尺度建模，綠色制造優(yōu)化 等）
5.光電子器件工藝與應用
（發(fā)光二極管，激光二極管，光電探測器件，太陽能電池，照明與顯示，激光雷達，光通信，量子技術等）
6.通訊射頻器件工藝與應用
（功率放大器，低噪聲放大器，濾波器，開關器件，移動通信，衛(wèi)星通信，低空飛行器，無人機，射頻能量等）
7.能源電子及應用
（風電&光伏&儲能新能源，電動汽車，數(shù)據(jù)中心，工業(yè)電源，電機節(jié)能，軌道交通，智能電網，航空航天，工業(yè)控制，變頻家電，消費電子，儀器儀表等）
8.綠色廠務及質量管控
（潔凈廠房，高純水制備，化學品供應，特氣供應，廢氣處理及排放，廢液處理，大宗氣體供應及質量管控等）
【程序委員會】
大會主席：惠峰 （云南鍺業(yè)）
副主席：陳秀芳（山東大學）、趙璐冰（CASA)
委員：趙德剛（中科院半導體所）、康俊勇（廈門大學）、 徐寶強（昆明理工）、皮孝東（浙江大學）、耿博（CASA)、王軍喜（中科院半導體所）、孫錢（中科院蘇州納米所）、王垚浩（南砂晶圓)、 涂潔磊（云師大）、王宏興（西交大）、彭燕（山東大學）、李強（西交大）、寧靜（西電）、修向前（南京大學）、郭杰（云師大）、王茺（云南大學）、邱峰（云南大學）、楊杰（云南大學）、謝自力（南京大學）、葛振華（昆明理工大學）、田陽（昆明理工大學）、魏同波（中科院半導體所）、許福軍（北京大學）、徐明升（山東大學）、孫海定（中國科學技術大學）、田朋飛（復旦大學）、劉玉懷（鄭州大學）、朱振（浪潮華光）、楊曉光（中科院半導體所）、高娜（廈門大學）、陳飛宏（云南鍺業(yè)）、康森（天通控股）、解楠（賽迪研究院 )、房玉龍（中電科十三所）、鄧家云（昆明理工大學）、李寶學（云鍺紅外） ......等
【日程安排】
【擬參與單位】
中科院半導體所、鑫耀半導體，南砂晶圓，藍河科技，天通控股，中電科十三所，南京大學，廈門大學，士佳光子，云鍺紅外，昆明理工大學，西安電子科技大學，中科院物理所，中電科四十八所，陜西源杰，九峰山實驗室，中微公司，矢量集團，晶盛機電，連科半導體，晶澳太陽能 美科太陽能 高景太陽能 中研科精密 華夏芯智慧光子，國聯(lián)萬眾，凝慧電子，晶湛半導體，英諾賽科，中光睿華，連城數(shù)控，云南大學，阿特斯陽光電力，山東大學，云南師范大學，中科院技物所，隆基電磁， 晶鎵半導體，南砂晶圓、西安聚能超導，蘇州納維，中科院物理所，浙江大學，云南鍺業(yè)，通美晶體，三安光電，電子科技大學，深圳平湖實驗室，中科院長春光機所，廣東工業(yè)大學，南方科技大學， 隆基綠能，合盛硅業(yè)，中光睿華，復旦大學，中國科學技術大學， 西安交通大學，江蘇第三代半導體研究院， 光迅科技，鎵和半導體 全磊光電 新易盛 昆明物理所，科友半導體，STR，河北同光，香港科技大學，深圳納設 中科院蘇州納米所，中科院上海光機所，哈工大等等
【活動參與】
1、注冊費：會議通票2800元；早鳥票：9月20日前注冊報名2600元；（含會議資料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。
2、繳費方式：
①銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
②在線注冊
掃碼注冊報名
③現(xiàn)場繳費（微信+支付寶）
【論文投稿及報告咨詢】
賈老師:18310277858，jiaxl@casmita.com
李老師:18601994986，linan@casmita.com
【參會參展及商務合作】
賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com
張女士:13681329411,zhangww@casmita.com
【會議酒店】
酒店名稱：昆明億壕城堡溫德姆至尊酒店
酒店地址：中國（云南）自由貿易試驗區(qū)昆明片區(qū)經開區(qū)楓丹白露花園
協(xié)議價格：430元/晚（含雙早）
酒店預定聯(lián)系: 陳經理，13759452505(微信同號）
郵箱：13759452505@139.com
