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MOSFET器件選型的3大法則

清純半導(dǎo)體推出首款國產(chǎn)15V驅(qū)動(dòng)的1200V SiC Mosfet

SiC MOSFET 高溫柵氧可靠性研究

聞泰科技披露三大業(yè)務(wù)板塊進(jìn)展：安世半導(dǎo)體已研發(fā)出中高壓MOSFET新產(chǎn)品

東芝推出采用最新一代工藝150V N溝道功率MOSFET大幅提高電源效率

《SiC MOSFET可靠性分析》聯(lián)盟技術(shù)報(bào)告正式立項(xiàng)

羅姆半導(dǎo)體宣布為L(zhǎng)ucid Air提供SiC MOSFET

業(yè)內(nèi)：國際IDM率先將車用MOSFET、IGBT遷至12英寸產(chǎn)線

韓媒：現(xiàn)代汽車面臨MOSFET短缺車芯荒或持續(xù)至Q3

東芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊，助力實(shí)現(xiàn)尺寸更小效率更高的工業(yè)設(shè)備

中科漢韻6英寸碳化硅MOSFET芯片產(chǎn)線啟動(dòng)前置工作車規(guī)級(jí)戰(zhàn)略如期部署

SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

捷捷微電：近期推出的十三款車規(guī)級(jí)功率MOSFET 部分產(chǎn)品已在新能源車上實(shí)現(xiàn)車用

派恩杰車規(guī)級(jí)SiC MOSFET獲客戶認(rèn)可，獲得新能源汽車龍頭企業(yè)數(shù)千萬訂單

新潔能：MOSFET領(lǐng)軍，發(fā)力IGBT與第三代半導(dǎo)體

上海瞻芯電子楊義：SiC MOSFET多管并聯(lián)均流驅(qū)動(dòng)技術(shù)探討

西安電子科技大學(xué)張藝蒙教授：SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究

2022年全球MOSFET市場(chǎng)規(guī)模將突破100億美元

英唐智控：SiC-MOSFET產(chǎn)品即將進(jìn)入流片驗(yàn)證

【CASICON 2021】中電科五十五所劉強(qiáng)：碳化硅MOSFET技術(shù)問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展

【CASICON 2021】美國弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在過壓開關(guān)中的魯棒性

氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET

【CASICON 2021】電子科技大學(xué)鄧小川：極端應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET的動(dòng)態(tài)可靠性研究

聞泰科技：加強(qiáng)在中高壓Mosfet、化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品SiC和GaN產(chǎn)品、以及模擬類產(chǎn)品的研發(fā)投入

【CASICON 2021】東南大學(xué)教授劉斯揚(yáng)：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展

CASICON 2021前瞻：碳化硅MOSFET技術(shù)問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展

CASICON 2021前瞻：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展

電子科技大學(xué)教授鄧小川將出席南京功率與射頻應(yīng)用峰會(huì) 分享極端應(yīng)力下SiC MOSFET器件動(dòng)態(tài)可靠性研究進(jìn)展

Yole： 2026年 MOSFET市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到94億美元

快充僅是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用“磨刀石”，落地這一領(lǐng)域可每年省電40億度

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