據(jù)介紹，該項技術報告提案經CASA標準化委員會（CASAS）秘書處初審，認為該技術報告的制定將有利于銜接產業(yè)鏈上中下游，推動SiC MOSFET的標準化工作進展，助力產業(yè)對該器件可靠性的進一步全面認識，符合CASAS技術報告的立項條件，故予以審核通過，并報請CASAS管理委員會，分配編號為：T/CASA/TR 002。

 

針對SiC材料缺陷、工藝缺陷等帶來的器件可靠性一系列的問題，已經引起了行業(yè)的廣泛關注。T/CASA/TR 002-202X《SiC MOSFET可靠性分析》首先闡述分析了襯底/外延、芯片工藝、封裝工藝帶來失效問題，然后調研、分析器件失效時關鍵特征參數(shù)的表征，如閾值電壓、體二極管退化、關態(tài)漏源電流等，以及可靠性試驗及模型等內容，最后聚焦在應用相關動態(tài)參數(shù)的可靠性測試。

 

復旦大學寬禁帶半導體研究團隊聚焦寬禁帶半導體材料生長、功率器件物理與設計、先進制造工藝及產業(yè)化、功率模塊及可靠性測試、電力電子技術五大研究方向?，F(xiàn)有成員17人，其中特聘教授3人，研究員/副研究員14人。2020年團隊聯(lián)合華大半導體共建成立上海碳化硅功率器件工程技術研究中心。在中心主任張清純教授帶領下通過與半導體器件生產和電力電子應用企業(yè)緊密合作，致力于研發(fā)基于寬禁帶半導體，特別是SiC材料為核心的新型功率器件、工藝和模塊，加速下一代碳化硅基功率電子的廣泛應用。團隊現(xiàn)有復旦大學寬禁帶半導體技術實驗室、光華臨港寬禁帶功率器件及應用創(chuàng)新平臺、以及復旦大學寧波研究院寬禁帶半導體材料與器件研究所等研發(fā)平臺。

 

此外，《SiC MOSFET可靠性分析》技術報告的編寫還邀請了包括但不限于東南大學、北京工業(yè)大學、中科院微電子所、國網智能電網研究院、西安電子科技大學、瀚天天成、工信部電子五所、泰科天潤、中科院電工所、禾望電氣、中電科十三所等單位共同參加，并誠邀產業(yè)內可靠性相關專家共同開展這項起草工作，為產業(yè)發(fā)展貢獻微薄之力。