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標準/“GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項標準形成委員會草案

中科院微電子所黃森、劉新宇團隊在GaN外延位錯傳導載流子及其導致功率電子器件可靠性退化機制方面取得重要進展

京東方華燦GaN電力電子突破：消費級可靠性1000H突破，工業(yè)級JEDEC蓄勢待發(fā)

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實驗研究

廣東芯賽威取得電源管理芯片及電路專利，可提高氮化鎵器件在電源應用中的可靠性

CASA與CSA共同立項《面向光治療的柔性LED光源拉伸彎曲可靠性試驗方法》等2項標準

高裕電子將建設第三代半導體可靠性測試設備生產(chǎn)基地

格至達智能取得IGBT功率模塊專利，保證可靠性和耐用性

華虹宏力“提升芯片良率和可靠性的方法”專利公布

揚杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

康美特龐凱敏：高可靠性碳化硅IGBT器件封裝材料 | IFWS&SSLCHINA2024

IFWS&SSLCHINA2024|CASA9項 SiC MOSFET測試與可靠性標準發(fā)布

飛锃半導體申請半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

芯導科技申請一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

揚杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

高可靠性高功率半導體器件IDM項目在宜興簽約總投資約30億元

北京大學在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進展

紫光集電高可靠性芯片封裝測試項目產(chǎn)線通線

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學徐躍杭:金剛石半導體器件可靠性新機制

CSPSD 2024成都前瞻|西安電子科技大學何艷靜：SiC MOSFET浪涌可靠性的研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學李俊宏：基于傅里葉乘法特性的高可靠性無半橋直流無刷電機驅(qū)動電路研究

CSPSD 2024成都前瞻|大連理工大學王德君：SiC半導體表界面缺陷及MOS器件可靠性

CSPSD 2024成都前瞻 |東南大學魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究

天狼芯半導體上海車規(guī)級可靠性實驗中心正式啟用

華為公司申請功率器件專利，提高半導體器件的可靠性

中國科學院在氮化鎵器件可靠性及熱管理研究方面取得重要進展

IFWS 2023│大連理工大學王德君：提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑

IFWS&SSLCHINA 2023│英諾賽科歐洲總經(jīng)理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本

致能科技首發(fā)1200V 高可靠性氮化鎵器件平臺

國星光電SiC-MOSFET器件獲得車規(guī)級認證并通過HV-H3TRB加嚴可靠性考核

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