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MOSFET器件選型的3大法則

清純半導體推出首款國產(chǎn)15V驅(qū)動的1200V SiC Mosfet

SiC MOSFET 高溫柵氧可靠性研究

聞泰科技披露三大業(yè)務板塊進展：安世半導體已研發(fā)出中高壓MOSFET新產(chǎn)品

東芝推出采用最新一代工藝150V N溝道功率MOSFET大幅提高電源效率

《SiC MOSFET可靠性分析》聯(lián)盟技術報告正式立項

羅姆半導體宣布為Lucid Air提供SiC MOSFET

業(yè)內(nèi)：國際IDM率先將車用MOSFET、IGBT遷至12英寸產(chǎn)線

韓媒：現(xiàn)代汽車面臨MOSFET短缺車芯荒或持續(xù)至Q3

東芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊，助力實現(xiàn)尺寸更小效率更高的工業(yè)設備

中科漢韻6英寸碳化硅MOSFET芯片產(chǎn)線啟動前置工作車規(guī)級戰(zhàn)略如期部署

SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

捷捷微電：近期推出的十三款車規(guī)級功率MOSFET 部分產(chǎn)品已在新能源車上實現(xiàn)車用

派恩杰車規(guī)級SiC MOSFET獲客戶認可，獲得新能源汽車龍頭企業(yè)數(shù)千萬訂單

新潔能：MOSFET領軍，發(fā)力IGBT與第三代半導體

上海瞻芯電子楊義：SiC MOSFET多管并聯(lián)均流驅(qū)動技術探討

西安電子科技大學張藝蒙教授：SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究

2022年全球MOSFET市場規(guī)模將突破100億美元

英唐智控：SiC-MOSFET產(chǎn)品即將進入流片驗證

【CASICON 2021】中電科五十五所劉強：碳化硅MOSFET技術問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進展

【CASICON 2021】美國弗吉尼亞理工大學張宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在過壓開關中的魯棒性

氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET

【CASICON 2021】電子科技大學鄧小川：極端應力下碳化硅功率MOSFET的動態(tài)可靠性研究

聞泰科技：加強在中高壓Mosfet、化合物半導體產(chǎn)品SiC和GaN產(chǎn)品、以及模擬類產(chǎn)品的研發(fā)投入

【CASICON 2021】東南大學教授劉斯揚：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展

CASICON 2021前瞻：碳化硅MOSFET技術問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進展

CASICON 2021前瞻：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展

電子科技大學教授鄧小川將出席南京功率與射頻應用峰會分享極端應力下SiC MOSFET器件動態(tài)可靠性研究進展

Yole： 2026年 MOSFET市場規(guī)模將達到94億美元

快充僅是第三代半導體應用“磨刀石”，落地這一領域可每年省電40億度

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