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CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

國產(chǎn)SiC & GaN功率器件已達(dá)國際一流水平，組建歐洲銷售團(tuán)隊(duì)“出海"

CASICON 2021前瞻：將GaN功率器件推向極限——材料和TCAD視角

聚能創(chuàng)芯/聚能晶源總經(jīng)理袁理將出席2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)

CASICON 2021前瞻：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院陳鵬教授將出席南京功率與射頻半導(dǎo)體應(yīng)用峰會(huì)

中科院上海微系統(tǒng)所程新紅研究員將出席南京功率與射頻應(yīng)用峰會(huì)，將帶來“SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)進(jìn)展”

國星光電：公司近期推出的第三代半導(dǎo)體新品GaN-DFN器件可應(yīng)用于新能源汽車充電、手機(jī)快充等

北京航天微電芯片孵化產(chǎn)業(yè)園開工，將建GaN/GaAs射頻芯片研制線

氣派科技：公司開發(fā)出了國內(nèi)首款5G MIMO基站GaN微波射頻功放塑封封裝產(chǎn)品

賽微電子：已推出數(shù)款GaN功率芯片產(chǎn)品并進(jìn)入小批量生產(chǎn)

快充僅是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用“磨刀石”，落地這一領(lǐng)域可每年省電40億度

Si基GaN 射頻器件研究進(jìn)展

瀚鎵半導(dǎo)體將在浦東建設(shè)4英寸GaN中試線

英飛凌：SiC、GaN功率元件5年內(nèi)成本將逐步降低

華微電子：公司正在積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)

GaN電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm收購AFSW晶圓廠100%權(quán)益

華為入局氮化鎵快充市場(chǎng)，2021或迎GaN快充爆發(fā)期？

納米多孔GaN+QD制作MicroLED

禹創(chuàng)半導(dǎo)體完成超億元A+輪融資，未來繼續(xù)攻關(guān)第三代GaN等產(chǎn)品研發(fā)

第三代半導(dǎo)體高速成長GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成

氮化鎵（GaN）射頻器件市場(chǎng)：2026年預(yù)計(jì)達(dá)到24億美元以上

Eggtronic推出基于GaN的電動(dòng)汽車無線充電技術(shù)

閾值高達(dá)8.4V！GaN又破解一項(xiàng)難題

賽微電子：GaN外延材料一期產(chǎn)能為1萬片/年，已簽訂千萬級(jí)合同

到2027年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將超過45億美元

GaN電力電子器件的現(xiàn)在與未來

到2027年，氮化鎵和碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將超過45億美元

意法半導(dǎo)體推出高性能GaN系列！面向汽車應(yīng)用、可靠性更高

河北發(fā)力第三代半導(dǎo)體！加快6英寸SiC/GaN外延量產(chǎn)化進(jìn)程

河北發(fā)力第三代半導(dǎo)體！加快6英寸SiC/GaN外延量產(chǎn)化進(jìn)程

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