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報(bào)告前瞻|湖南三安半導(dǎo)體許志維：SiC MOSFET器件技術(shù)之發(fā)展與挑戰(zhàn)

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（三）?|IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（二）|IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（一） |IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會日程出爐|IFWS 2024前瞻

CASICON晶體大會前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：碳化硅電子器件技術(shù)若干新進(jìn)展

北大團(tuán)隊(duì)新型器件技術(shù)加速GaN進(jìn)入工業(yè)與汽車應(yīng)用

IFWS 2023│九峰山實(shí)驗(yàn)室袁?。盒滦吞蓟铚喜?span id="4a9wggn" class="highlight">器件技術(shù)研究進(jìn)展

IFWS 2023│追蹤氮化鎵功率電子器件技術(shù)新進(jìn)展

IFWS&SSLCHINA2023│香港科技大學(xué)教授陳敬：面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器件技術(shù)

IFWS 2023前瞻│氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會日程出爐

IFWS 2023前瞻│氮化鎵射頻電子器件技術(shù)分會日程出爐

中電科第五十五研究所黃潤華：SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀及產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展

【CASICON 2023 西安站】西安電子科技大學(xué)副校長張進(jìn)成：寬禁帶半導(dǎo)體射頻和功率器件技術(shù)新進(jìn)展

CASICON 2023前瞻中電科55所黃潤華：SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀及產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展

揚(yáng)杰科技與東南大學(xué)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，共建寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心

揚(yáng)杰科技將與東南大學(xué)共建寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心

美國北卡羅萊納州立大學(xué)教授Victor Veliadis：碳化硅功率半導(dǎo)體器件技術(shù)

賽道火熱+現(xiàn)場火爆，聚焦碳化硅功率電子器件技術(shù)新風(fēng)向

5G乘風(fēng)破浪，聚焦射頻電子材料與器件技術(shù)新進(jìn)展

IFWS：氮化鎵功率電子器件技術(shù)研究進(jìn)展

IFWS：碳化硅功率電子器件技術(shù)進(jìn)展追蹤

IFWS：超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)最新進(jìn)展

開年盛會 | 固態(tài)紫外材料與器件技術(shù)分論壇嘉賓報(bào)告日程出爐——IFWS&SSLCHINA前瞻

IFWS 2022前瞻：射頻電子材料與器件技術(shù)分會日程公布

IFWS 2022前瞻：超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)分會日程公布

賽晶科技：以自研IGBT、SiC等器件技術(shù)推動(dòng)發(fā)電領(lǐng)域的清潔替代

華微電子：積極布局以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件技術(shù)

IFWS 2022前瞻：氮化鎵功率電子材料與器件技術(shù)新進(jìn)展

碳化硅功率器件技術(shù)綜述與展望

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