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標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

國(guó)家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

法國(guó)AlN創(chuàng)企EasyGaN宣布倒閉

山東大學(xué)/晶鎵半導(dǎo)體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

納微GaNSafe?正式通過(guò)車(chē)規(guī)認(rèn)證

MaM發(fā)表深圳大學(xué)劉新科團(tuán)隊(duì)綜述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技術(shù)

晶湛半導(dǎo)體發(fā)布第二代Full Color GaN?全彩系列外延片，攜ZDP?平臺(tái)助力AR眼鏡商業(yè)化進(jìn)程

比利時(shí)氮化鎵廠商BelGaN擬被2.5億歐元收購(gòu)，計(jì)劃生產(chǎn)光芯片

標(biāo)準(zhǔn) | 《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線(xiàn)測(cè)試方法》形成委員會(huì)草案

中科大微電子學(xué)院在GaN器件輻照效應(yīng)研究方向取得重要進(jìn)展

超6300萬(wàn)！三墾電氣全資收購(gòu)GaN企業(yè)Powdec株式會(huì)社

聞泰科技：公司預(yù)計(jì)包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開(kāi)始逐步放量

重磅發(fā)布｜九峰山實(shí)驗(yàn)室GaN系列成果首次發(fā)布！

材料深一度｜一篇帶你了解GaN HEMT最全產(chǎn)品情況

中企競(jìng)標(biāo)收購(gòu)比利時(shí)氮化鎵廠商BelGaN

中國(guó)科大楊樹(shù)教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進(jìn)展

武漢大學(xué)聯(lián)合中科大iGaN實(shí)驗(yàn)室與工信部電子五所在GaN基HEMTs的溝道溫度監(jiān)測(cè)研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線(xiàn)測(cè)試方法征求意見(jiàn)

比利時(shí)氮化鎵制造商BelGaN破產(chǎn)，中國(guó)買(mǎi)家競(jìng)購(gòu)設(shè)備資產(chǎn)

豐田合成開(kāi)發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓

南京郵電大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在用于低功率光通信的GaN/CuI異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光伏探測(cè)器取得進(jìn)展

安徽格恩半導(dǎo)體申請(qǐng)GaN基化合物半導(dǎo)體激光元件專(zhuān)利，提升光束質(zhì)量因子

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請(qǐng) GaN 半橋電路等專(zhuān)利，提升電路性能

北大集成電路學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

蘇州立琻半導(dǎo)體申請(qǐng)p型AlGaN材料及其制備等專(zhuān)利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

上海燁映微電子申請(qǐng) GaN 晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器合封專(zhuān)利，實(shí)現(xiàn)高頻能力

成都氮矽科技申請(qǐng) N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件專(zhuān)利，提高器件的抗輻照能力

南京大學(xué)在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進(jìn)展

華燦光電擬將GaN募投項(xiàng)目建成時(shí)間延長(zhǎng)至明年底

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