9月26-28日，“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院/國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）異質(zhì)集成先進技術(shù)研發(fā)中心主任梁劍波將受邀出席論壇，并帶來《GaAs與Si及GaN的常溫異質(zhì)接合研究》的主題報告，敬請關(guān)注！

嘉賓簡介

梁劍波，現(xiàn)任江蘇第三代半導(dǎo)體研究院/國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）異質(zhì)集成先進技術(shù)研發(fā)中心主任，蘇州晶和半導(dǎo)體科技有限公司董事長兼技術(shù)總監(jiān)，并兼任大阪公立大學教授、博士生導(dǎo)師。2009年與2012年分別獲得日本名古屋工業(yè)大學碩士和博士學位，之后在大阪市立大學電力電子實驗室從事博士后研究，2015年起留校任教，2017年曾赴英國布里斯托大學合作研究。長期專注于第一至第四代半導(dǎo)體材料（金剛石、Si、GaAs、GaN、SiC、Ga?O?等）的異質(zhì)集成與常溫直接鍵合技術(shù)研究，開創(chuàng)性地實現(xiàn)了金剛石與多種半導(dǎo)體材料在室溫下的高強度、低熱阻結(jié)合，解決了寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體器件散熱和集成的關(guān)鍵難題。他主持和參與包括日本學術(shù)振興會（JSPS）、新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)（NEDO）、日本科學技術(shù)振興機構(gòu)（JST）等資助的12項科研項目。在 Advanced Materials、Nature Communications、Small 等期刊發(fā)表論文150余篇，申請專利12項，出版專著2部。在產(chǎn)業(yè)化方面，他推動12英寸常溫鍵合裝備研發(fā)與量產(chǎn)，建立了金剛石基GaN晶圓、3D集成裝備及寬禁帶器件的產(chǎn)業(yè)化路線。其成果已應(yīng)用于半導(dǎo)體CMOS圖像傳感器和功率器件。目前正致力于4英寸及8英寸金剛石基GaN晶圓研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，為下一代高功率、高頻率器件與先進封裝提供支撐。 

單位簡介

江蘇第三代半導(dǎo)體研究院成立于2019年，位于蘇州工業(yè)園區(qū)，是由江蘇省、蘇州市與園區(qū)共建的新型研發(fā)機構(gòu)。2021年獲科技部批準建設(shè)“國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州平臺）”，成為國家級創(chuàng)新體系的重要組成部分。研究院聚焦第三代半導(dǎo)體材料及器件的關(guān)鍵技術(shù)，涵蓋碳化硅、氮化鎵、氧化鎵、金剛石等新型寬禁帶與超寬禁帶材料，圍繞材料制備、器件工藝、先進封裝、模塊與系統(tǒng)集成開展研發(fā)攻關(guān)。研究院建有材料生長、器件工藝與封裝、測試分析、模塊集成等創(chuàng)新平臺，配備先進研發(fā)設(shè)施，已形成基礎(chǔ)研究、技術(shù)開發(fā)到產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化的完整鏈條。通過聯(lián)合高校、科研院所和龍頭企業(yè)，設(shè)立多個聯(lián)合研發(fā)中心，積極推動“產(chǎn)學研用”深度融合。核心科研團隊已達數(shù)百人，引進多位高層次人才，并通過“揭榜掛帥”等機制承擔國家與地方重點任務(wù)。依托國家與地方政策支持，研究院在功率電子、新能源、5G通信等領(lǐng)域取得一系列技術(shù)突破，部分成果實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化落地，成為我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略平臺與創(chuàng)新高地。

報告前瞻

報告題目：GaAs與Si及GaN的常溫異質(zhì)接合研究 

報告摘要：GaAs具有較高的電子遷移率和優(yōu)異的光學特性，已廣泛應(yīng)用于光電子器件和高速電子器件。然而，當其與成本低廉、易于實現(xiàn)大尺寸化的Si基板，或具有高耐壓、高功率特性的GaN基板進行異質(zhì)集成時，仍面臨諸多挑戰(zhàn)。首先，在GaAs與Si的異質(zhì)接合中，約4.1%的晶格常數(shù)差會導(dǎo)致界面產(chǎn)生大量位錯和缺陷，這是最大的技術(shù)障礙。此外，兩者熱膨脹系數(shù)不匹配，在加熱工藝中容易引發(fā)較大的應(yīng)力和翹曲，進而導(dǎo)致界面剝離或結(jié)合強度下降。同時，Si表面極易形成天然氧化膜，也會阻礙界面結(jié)合。而在GaAs與GaN的異質(zhì)接合中，晶體結(jié)構(gòu)差異引發(fā)的晶格失配、熱導(dǎo)率差異、表面化學特性的不同，以及能帶結(jié)構(gòu)不匹配引起的界面電荷積累，都會對接合質(zhì)量與器件性能造成不利影響。為克服這些困難，研究者們嘗試采用常溫直接接合技術(shù)，并取得了重要成果。傳統(tǒng)上，GaAs與其他半導(dǎo)體材料的集成需要高溫工藝，但熱膨脹系數(shù)差異帶來的應(yīng)力和界面缺陷始終是難以突破的瓶頸。通過引入表面活化接合技術(shù)（Surface Activated Bonding, SAB），利用等離子體或離子束去除表面氧化層與雜質(zhì)，在原子尺度上實現(xiàn)界面的清潔與高活性，從而在室溫條件下實現(xiàn)了原子級的結(jié)合。研究顯示，GaAs與Si、GaN的常溫接合技術(shù)突破了傳統(tǒng)熱學與力學限制，成功實現(xiàn)了高質(zhì)量的半導(dǎo)體異質(zhì)集成，并為光電子與功率電子領(lǐng)域提供了一種具有革新性的技術(shù)平臺。

 附會議信息： 

【會議時間】 2025年9月26-28日

【會議地點】云南·昆明 

【指導(dǎo)單位】

  第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

  中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）

【主辦單位】

  云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司

 極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.huizhouyinshua.cn）

 半導(dǎo)體照明網(wǎng)(www.china-led.net)

 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

【承辦單位】

云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

【支持單位】

賽迪智庫集成電路研究所

 中國科學院半導(dǎo)體研究所

 云南大學

 山東大學

 云南師范大學

 昆明理工大學

 晶體材料全國重點實驗室

.....

【關(guān)鍵材料】

1、鍺、硅、砷化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體材料生長與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

2、氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料生長與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

3、氮化鋁、金剛石、氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體材料生長與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

【主要方向】

1.化合物半導(dǎo)體單晶與外延材料

（砷化鎵，磷化銦，氮化鎵，碳化硅，氮化鋁，氧化鎵，氮化硼，藍寶石，鈮酸鋰等晶體、外延生長及模擬設(shè)計等）

2. 硅、高純鍺及鍺基材料

（大硅片生長及及應(yīng)用，直拉法或區(qū)熔法等單晶生長，原料提純，GeSi、GeSn、GeC 等多元單晶薄膜，切片與機械拋光，摻雜調(diào)控離子注入等） 

3.高純金屬、原輔料制備及晶體外延生長與加工關(guān)鍵裝備

（高純前驅(qū)體，高純試劑，高純氣體，高純粉體， 長晶爐，MOCVD,  MBE, LPE，PVT 等外延生長裝備，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及拋光設(shè)備與材料，檢測設(shè)備等）

4.測試評價及AI for Science

（AI 驅(qū)動的測試評價革新， 缺陷工程與摻雜策略、晶體生長智能調(diào)控、缺陷實時檢測與修復(fù)，多尺度建模，綠色制造優(yōu)化 等）

5.光電子器件工藝與應(yīng)用

（發(fā)光二極管，激光二極管，光電探測器件，太陽能電池，照明與顯示，激光雷達，光通信，量子技術(shù)等）

6.通訊射頻器件工藝與應(yīng)用

（功率放大器，低噪聲放大器，濾波器，開關(guān)器件，移動通信，衛(wèi)星通信，低空飛行器，無人機，射頻能量等）

7.能源電子及應(yīng)用

（風電&光伏&儲能新能源，電動汽車，數(shù)據(jù)中心，工業(yè)電源，電機節(jié)能，軌道交通，智能電網(wǎng)，航空航天，工業(yè)控制，變頻家電，消費電子，儀器儀表等）

8.綠色廠務(wù)及質(zhì)量管控

（潔凈廠房，高純水制備，化學品供應(yīng)，特氣供應(yīng)，廢氣處理及排放，廢液處理，大宗氣體供應(yīng)及質(zhì)量管控等）

【程序委員會】

大會主席：惠峰 （云南鍺業(yè)）

副主席：陳秀芳（山東大學）、趙璐冰（CASA)

委員：趙德剛（中科院半導(dǎo)體所）、康俊勇（廈門大學）、 徐寶強（昆明理工）、皮孝東（浙江大學）、耿博（CASA)、王軍喜（中科院半導(dǎo)體所）、孫錢（中科院蘇州納米所）、王垚浩（南砂晶圓)、 涂潔磊（云師大）、王宏興（西交大）、彭燕（山東大學）、李強（西交大）、寧靜（西電）、修向前（南京大學）、郭杰（云師大）、王茺（云南大學）、邱峰（云南大學）、楊杰（云南大學）、謝自力（南京大學）、葛振華（昆明理工大學）、田陽（昆明理工大學）、魏同波（中科院半導(dǎo)體所）、許福軍（北京大學）、徐明升（山東大學）、孫海定（中國科學技術(shù)大學）、田朋飛（復(fù)旦大學）、劉玉懷（鄭州大學）、朱振（浪潮華光）、楊曉光（中科院半導(dǎo)體所）、高娜（廈門大學）、陳飛宏（云南鍺業(yè)）、康森（天通控股）、解楠（賽迪研究院 )、房玉龍（中電科十三所）、鄧家云（昆明理工大學）、李寶學（云鍺紅外） ......等

【日程安排】

【擬參與單位】

中科院半導(dǎo)體所、鑫耀半導(dǎo)體，南砂晶圓，藍河科技，天通控股，中電科十三所，南京大學，廈門大學，士佳光子，云鍺紅外，昆明理工大學，西安電子科技大學，中科院物理所，中電科四十八所，陜西源杰，九峰山實驗室，中微公司，矢量集團，晶盛機電，連科半導(dǎo)體，晶澳太陽能  美科太陽能 高景太陽能   中研科精密 華夏芯智慧光子，國聯(lián)萬眾，凝慧電子，晶湛半導(dǎo)體，英諾賽科，中光睿華，連城數(shù)控，云南大學，阿特斯陽光電力，山東大學，云南師范大學，中科院技物所，隆基電磁， 晶鎵半導(dǎo)體，南砂晶圓、西安聚能超導(dǎo)，蘇州納維，中科院物理所，浙江大學，云南鍺業(yè)，通美晶體，三安光電，電子科技大學，深圳平湖實驗室，中科院長春光機所，廣東工業(yè)大學，南方科技大學， 隆基綠能，合盛硅業(yè)，中光睿華，復(fù)旦大學，中國科學技術(shù)大學， 西安交通大學，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院， 光迅科技，鎵和半導(dǎo)體 全磊光電 新易盛  昆明物理所，科友半導(dǎo)體，STR，河北同光，香港科技大學，深圳納設(shè) 中科院蘇州納米所，中科院上海光機所，哈工大等等 

【活動參與】

1、注冊費：會議通票2800元；早鳥票：9月20日前注冊報名2600元；（含會議資料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。

2、繳費方式：

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司 

②在線注冊

掃碼注冊報名

③現(xiàn)場繳費（微信+支付寶）

【論文投稿及報告咨詢】

賈老師:18310277858，jiaxl@casmita.com 

李老師:18601994986，linan@casmita.com 

【參會參展及商務(wù)合作】

賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com 

張女士:13681329411,zhangww@casmita.com 

【會議酒店】

酒店名稱：昆明億壕城堡溫德姆至尊酒店

酒店地址：中國（云南）自由貿(mào)易試驗區(qū)昆明片區(qū)經(jīng)開區(qū)楓丹白露花園

協(xié)議價格：430元/晚（含雙早）

酒店預(yù)定聯(lián)系: 陳經(jīng)理，13759452505(微信同號）

郵箱：13759452505@139.com