9月17日，無錫先為科技有限公司自主研發(fā)的EliteMO系列常壓型GaN MOCVD設(shè)備正式發(fā)貨，交付國內(nèi)某頭部化合物半導(dǎo)體晶圓廠。這是繼今年6月BrillMO系列GaN MOCVD設(shè)備成功交付后，先為科技在化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備領(lǐng)域的又一重大突破，進(jìn)一步彰顯了市場對先為科技產(chǎn)品與技術(shù)實(shí)力的高度認(rèn)可。 

此次發(fā)貨的EliteMO系列金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延設(shè)備，具備廣泛的應(yīng)用覆蓋與領(lǐng)先的工藝性能，適用于 GaN LD、綠光到紫外 LED、GaN 電子器件、GaN 基新結(jié)構(gòu)材料、Ga?O?外延及 AIN 外延生長。該設(shè)備可實(shí)現(xiàn)多區(qū)電阻加熱，具備優(yōu)異的溫度均勻性，可提供多元多組分、n/p 型等多種材料外延生長解決方案，賦能先進(jìn)材料的外延研發(fā)與制造。

作為先導(dǎo)集團(tuán)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的關(guān)鍵企業(yè)，先為科技依托集團(tuán)在高端裝備制造領(lǐng)域的深厚積累，始終堅(jiān)持正向研發(fā)與自主創(chuàng)新，已成功推出包括兩款GaN MOCVD外延設(shè)備和SiC外延設(shè)備在內(nèi)的一系列核心產(chǎn)品。此次常壓型GaN MOCVD 外延設(shè)備的成功發(fā)貨，將進(jìn)一步驗(yàn)證先為產(chǎn)品與技術(shù)的領(lǐng)先性，有力地推動了化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備的國產(chǎn)自主化。 

未來，先為科技將繼續(xù)深化技術(shù)迭代與工藝創(chuàng)新，強(qiáng)化與產(chǎn)業(yè)鏈龍頭企業(yè)的協(xié)同合作，致力于為全球化合物半導(dǎo)體客戶提供更可靠、更高效、使用成本更低的外延裝備與全生命周期解決方案，助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控與高質(zhì)量發(fā)展。

（來源：先為科技）