由廈門三安集成電路有限公司牽頭制定，遵循CASAS標準制定流程，經過標準起草小組會議討論、廣泛征求意見、委員會草案投票等流程，團體標準T/CASAS 057—2025《高頻開關應用下GaN功率器件開關運行狀態(tài)可靠性試驗方法》于2025年8月29日正式面向產業(yè)發(fā)布。 

T/CASAS 057—2025《高頻開關應用下GaN功率器件開關運行狀態(tài)可靠性試驗方法》描述了用于評估高頻開關應用下（頻率≥100kHz）GaN功率器件開關運行狀態(tài)可靠性試驗方法，用以表征及評估GaN功率器件在連續(xù)開關應力作用下器件的退化及失效。 

本文件適用于進行GaN 功率器件的生產研發(fā)、特性表征、量產測試、可靠性評估及應用評估等工作場景。可應用于以下器件：

1） GaN增強型（E-Mode）和耗盡型（D-Mode）分立功率電子器件；

2） GaN功率集成器件和共源共柵GaN功率器件；

3） 以上的晶圓級及封裝級產品。 

 【本文件主要起草單位】

廈門三安集成電路有限公司、湖南三安半導體有限責任公司、中山大學、廣東工業(yè)大學、電子科技大學（深圳）高等研究院、深圳平湖實驗室、蘇州晶湛半導體有限公司、中國科學院半導體研究所、諸暨市氮矽科技有限公司、中國電子技術標準化研究院、江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司、杭州長川科技股份有限公司、深圳市大能創(chuàng)智半導體有限公司、北京大學東莞光電研究院、北京第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟。 

【本文件主要起草人】

葉念慈、劉成、徐涵、嚴丹妮、許亞坡、劉揚、賀致遠、明鑫、曾威、王小明、王文平、戴婷婷、羅卓然、向鵬、賈利芳、劉家才、菅端端、武樂可、孫海洋、耿霄雄、謝斌、劉強、高偉。

 （來源：第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟）