由廈門三安集成電路有限公司牽頭制定，遵循CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定流程，經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)起草小組會(huì)議討論、廣泛征求意見、委員會(huì)草案投票等流程，團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 057—2025《高頻開關(guān)應(yīng)用下GaN功率器件開關(guān)運(yùn)行狀態(tài)可靠性試驗(yàn)方法》于2025年8月29日正式面向產(chǎn)業(yè)發(fā)布。 

T/CASAS 057—2025《高頻開關(guān)應(yīng)用下GaN功率器件開關(guān)運(yùn)行狀態(tài)可靠性試驗(yàn)方法》描述了用于評估高頻開關(guān)應(yīng)用下（頻率≥100kHz）GaN功率器件開關(guān)運(yùn)行狀態(tài)可靠性試驗(yàn)方法，用以表征及評估GaN功率器件在連續(xù)開關(guān)應(yīng)力作用下器件的退化及失效。 

本文件適用于進(jìn)行GaN 功率器件的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測試、可靠性評估及應(yīng)用評估等工作場景。可應(yīng)用于以下器件：

1） GaN增強(qiáng)型（E-Mode）和耗盡型（D-Mode）分立功率電子器件；

2） GaN功率集成器件和共源共柵GaN功率器件；

3） 以上的晶圓級(jí)及封裝級(jí)產(chǎn)品。 

 【本文件主要起草單位】

廈門三安集成電路有限公司、湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司、中山大學(xué)、廣東工業(yè)大學(xué)、電子科技大學(xué)（深圳）高等研究院、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室、蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、諸暨市氮矽科技有限公司、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司、杭州長川科技股份有限公司、深圳市大能創(chuàng)智半導(dǎo)體有限公司、北京大學(xué)東莞光電研究院、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。 

【本文件主要起草人】

葉念慈、劉成、徐涵、嚴(yán)丹妮、許亞坡、劉揚(yáng)、賀致遠(yuǎn)、明鑫、曾威、王小明、王文平、戴婷婷、羅卓然、向鵬、賈利芳、劉家才、菅端端、武樂可、孫海洋、耿霄雄、謝斌、劉強(qiáng)、高偉。

 （來源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟）