2025年第22屆國(guó)際碳化硅及相關(guān)先進(jìn)材料會(huì)議（The 22nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials-ICSCRM 2025）在韓國(guó)釜山舉辦。ICSCRM是全球碳化硅與寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域最具影響力的國(guó)際會(huì)議之一，本次會(huì)議聚焦功率器件、材料科學(xué)及新興應(yīng)用等前沿議題。會(huì)議包含主題演講、技術(shù)展示和產(chǎn)業(yè)交流環(huán)節(jié)，吸引全球?qū)＜覍W(xué)者及產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)參與。

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室近期兩項(xiàng)關(guān)鍵研究成果亮相ICSCRM，研究?jī)?nèi)容基于已授權(quán)的專利，充分體現(xiàn)了實(shí)驗(yàn)室的前沿探索能力和產(chǎn)業(yè)應(yīng)用能力。其中，

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第三代躍升課題組展示了1項(xiàng)成果（1篇墻報(bào)），報(bào)告作者為支海朝博士。研究?jī)?nèi)容基于已授權(quán)中國(guó)專利（CN118352396B）以及已公開(kāi)的中國(guó)專利申請(qǐng)（CN119767744A），報(bào)告討論基于碳化硅外延回填工藝，全flow無(wú)需離子注入即可實(shí)現(xiàn)具有側(cè)壁寄生p-MOS 的碳化硅溝槽柵MOSFET器件。通過(guò)單粒子輻照TCAD仿真，證實(shí)該MOSFET結(jié)構(gòu)具有高抗單粒子輻照特性。報(bào)告獲得較多與會(huì)專家關(guān)注，支海朝博士與AIST、SUNY Albany、Fraunhofer IISB、ST、U of Warwick、centrotherm、三安等學(xué)校和公司專家就相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行深入講解與交流。

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室碳化硅課題組展示了另外1項(xiàng)成果（1篇墻報(bào)），報(bào)告作者為朱磊，報(bào)道了深圳平湖實(shí)驗(yàn)室基于自有8英寸碳化硅工藝平臺(tái)以及已授權(quán)中國(guó)專利（CN118610269B）成功實(shí)現(xiàn)了倒T型自對(duì)準(zhǔn)深P+離子注入掩蔽結(jié)構(gòu)溝槽柵碳化硅MOSFET器件。該器件實(shí)現(xiàn)雪崩電壓>1500V，比導(dǎo)通電阻~1.9mΩcm2，閾值電壓~3V，并通過(guò)1000h HTRB&HTGB可靠性測(cè)試。該項(xiàng)工作表明實(shí)驗(yàn)室平臺(tái)已具有較高的設(shè)計(jì)能力和工藝水平。

未來(lái)，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室將持續(xù)深耕寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域，以國(guó)際交流為契機(jī)，加快科研成果轉(zhuǎn)化，為推動(dòng)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)中國(guó)科研力量。