2025年第22屆國際碳化硅及相關(guān)先進材料會議（The 22nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials-ICSCRM 2025）在韓國釜山舉辦。ICSCRM是全球碳化硅與寬禁帶半導體領(lǐng)域最具影響力的國際會議之一，本次會議聚焦功率器件、材料科學及新興應(yīng)用等前沿議題。會議包含主題演講、技術(shù)展示和產(chǎn)業(yè)交流環(huán)節(jié)，吸引全球?qū)＜覍W者及產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)參與。

深圳平湖實驗室近期兩項關(guān)鍵研究成果亮相ICSCRM，研究內(nèi)容基于已授權(quán)的專利，充分體現(xiàn)了實驗室的前沿探索能力和產(chǎn)業(yè)應(yīng)用能力。其中，

深圳平湖實驗室第三代躍升課題組展示了1項成果（1篇墻報），報告作者為支海朝博士。研究內(nèi)容基于已授權(quán)中國專利（CN118352396B）以及已公開的中國專利申請（CN119767744A），報告討論基于碳化硅外延回填工藝，全flow無需離子注入即可實現(xiàn)具有側(cè)壁寄生p-MOS 的碳化硅溝槽柵MOSFET器件。通過單粒子輻照TCAD仿真，證實該MOSFET結(jié)構(gòu)具有高抗單粒子輻照特性。報告獲得較多與會專家關(guān)注，支海朝博士與AIST、SUNY Albany、Fraunhofer IISB、ST、U of Warwick、centrotherm、三安等學校和公司專家就相關(guān)內(nèi)容進行深入講解與交流。

深圳平湖實驗室碳化硅課題組展示了另外1項成果（1篇墻報），報告作者為朱磊，報道了深圳平湖實驗室基于自有8英寸碳化硅工藝平臺以及已授權(quán)中國專利（CN118610269B）成功實現(xiàn)了倒T型自對準深P+離子注入掩蔽結(jié)構(gòu)溝槽柵碳化硅MOSFET器件。該器件實現(xiàn)雪崩電壓>1500V，比導通電阻~1.9mΩcm2，閾值電壓~3V，并通過1000h HTRB&HTGB可靠性測試。該項工作表明實驗室平臺已具有較高的設(shè)計能力和工藝水平。

未來，深圳平湖實驗室將持續(xù)深耕寬禁帶半導體領(lǐng)域，以國際交流為契機，加快科研成果轉(zhuǎn)化，為推動產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展貢獻中國科研力量。