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英飛凌推出SiC溝槽型超結(jié)（TSJ）技術(shù)

TMC2025車規(guī)級功率半導(dǎo)體論壇劇透：破解新能源“卡脖子”技術(shù)

CSPSD 2025前瞻|濟(jì)南大學(xué)張春偉：場板技術(shù)中的電場調(diào)制機(jī)制：基于電荷的視角

九峰山實(shí)驗(yàn)室2025技術(shù)服務(wù)體系發(fā)布

英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)周峰：氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

2025車用功率半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)培訓(xùn)會(huì)將在廣州南沙舉辦

CSPSD 2025前瞻|昕感科技李道會(huì)：面向車規(guī)應(yīng)用的功率之”芯”SiC及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)

中國科學(xué)院微電子所在碳硅三維異質(zhì)集成器件上取得進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|通富微電邢衛(wèi)兵：新能源時(shí)代半導(dǎo)體封測技術(shù)與趨勢

CSPSD 2025前瞻|熾芯微電子朱正宇：功率器件封裝技術(shù)的發(fā)展及展望

中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進(jìn)展

高純硅粉制備氮化硅陶瓷

連科半導(dǎo)體8吋/12吋SiC電阻爐及工藝成套技術(shù)取得突破

中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所投影式光刻機(jī)采購項(xiàng)目（第二次）公開招標(biāo)公告

陽光電源：公司在做的是電力電子技術(shù)協(xié)同方面的多元化業(yè)務(wù)

CSPSD 2025前瞻| 電子科技大學(xué)喬明：用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術(shù)挑戰(zhàn)

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聯(lián)盟被評為“A級活躍度產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟”

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所在二維陣列激光器方面取得重要進(jìn)展

金剛石高溫日盲紫外探測器取得新進(jìn)展

LUCEDA＆是德科技同期活動(dòng)圓滿收官，為2025CSE開幕點(diǎn)燃技術(shù)前奏?

晶圓級高精度倒裝鍵合機(jī)采購招標(biāo)公告

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

九峰山實(shí)驗(yàn)室推氧化鎵科研級功率單管及coupon to wafer流片平臺(tái)

Polar與瑞薩電子達(dá)成硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議

山東大學(xué)/晶鎵半導(dǎo)體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

CSE展邊會(huì)丨推動(dòng)機(jī)器人產(chǎn)業(yè)升級！2025第三代半導(dǎo)體機(jī)器人快充新技術(shù)研討會(huì)議程公布

2025JFSC平行論壇8丨異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)，精彩議題搶先看

2025JFSC平行論壇4丨光電子技術(shù)，精彩議題搶先看

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