寬禁帶半導體超越照明材料與技術全國重點實驗室（原半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室）于2024年獲科技部批準建設。實驗室面向國家半導體電子器件重大戰(zhàn)略及高新技術產業(yè)發(fā)展科技前沿及國民經濟主戰(zhàn)場對寬禁帶光電子材料的應用需求，以解決寬禁帶半導體超越照明領域重大科學問題為使命，打造高水平國家戰(zhàn)略科技支撐力量，推動實現(xiàn)我國寬禁帶半導體材料與光電子產業(yè)高質量發(fā)展。

根據(jù)全國重點實驗室管理辦法相關要求，寬禁帶半導體超越照明材料與技術全國重點實驗室2025年開放課題申請指南如下：

一、資助方向

1、超越照明光譜的材料與器件：研究寬禁帶半導體缺陷無損表征新方法；研究寬禁帶半導體發(fā)光材料的常壓外延生長技術；研究寬禁帶半導體新型激光器的制作技術。

2、超越照明功能的集成交叉應用：研究面向紫外殺菌、生命健康、醫(yī)療、農業(yè)等領域的光生物作用機理，解決集成交叉應用領域關鍵技術問題；研究基于可見光的通信感知導航融合理論方法與關鍵技術。

3、寬禁帶半導體構效關系測試與標準：面向超越照明寬禁帶半導體材料/器件/系統(tǒng)表征與測試，開發(fā)自主可控多參量精密測量儀器。探索新型寬禁帶半導體材料原子尺度新奇物性及機制測量表征新方法；開發(fā)寬禁帶半導體器件與工藝多場耦合測試技術與儀器。

二、申請條件‌

1、‌申請人資格‌：具有博士學位或副高級及以上職稱的科研人員；鼓勵中青年科研人員申請；每位申請人限報1項，已承擔本實驗室開放課題未結題者不得申報。

2、‌合作要求：‌申請人需與實驗室至少1名固定研究人員聯(lián)合申報。

三、‌資助說明

1、‌資助額度‌：本年度實驗室開放課題設置不超過15項，每項資助金額5-20萬元。

2、研究周期：1-2年。

3、項目滾動：獲批的開放課題結題后，將擇優(yōu)遴選優(yōu)秀課題給予滾動資助。

四、成果管理

課題成果（論文、專利、獲獎等）須標注“本研究得到寬禁帶半導體超越照明材料與技術全國重點實驗室資助（課題編號）”（This project is supported by State Key Laboratory of Widegap Semiconductor Optoelectronic Materials and Technologies（Open Fund Project No.））。   

五、經費管理

1、開放課題經費嚴格按《國家重點實驗室專項經費管理辦法》和《寬禁帶半導體超越照明材料與技術全國重點實驗室開放課題管理辦法》執(zhí)行。

2、如課題經費外撥至課題承擔單位，課題承擔單位要嚴格按照相關規(guī)定管理和使用課題經費，并配合接受可能針對開放課題經費的延伸審計。

六、‌結題要求‌

與實驗室合作發(fā)表國內外重要期刊論文，并標注由本實驗室開放課題資助；與實驗室合作申請發(fā)明專利；參加實驗室組織的開放課題學術交流活動與檢查評估活動；完成結題報告并提交成果清單。

七、受理方式

課題需提交經個人簽名并由單位加蓋公章的申請書掃描件，截止時間前發(fā)送到y(tǒng)uz@china-led.net。截止時間：2025年10月31日。

八、‌聯(lián)系方式

申請咨詢：18911165715 余老師   

E-mail：yuz@china-led.net 

九、‌其他‌

1、申請材料需真實有效，如發(fā)現(xiàn)學術不端行為將取消資格并通報；

2、本指南最終解釋權歸寬禁帶半導體超越照明材料與技術全國重點實驗室所有。