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詳細日程| 2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）5月22-24日南京見!

CSPSD 2025前瞻|中國科學技術大學楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|香港大學張宇昊：GaN和Ga2O3中的多維器件超結、多溝道和FinFET

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學張進成:鎵系半導體功率器件研究進展

CSPSD 2025前瞻|山東大學彭燕：基于金剛石/碳化硅新型異質散熱結構的器件應用研究

CSPSD 2025前瞻|中國科學技術大學徐光偉：基于摻雜調控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

CSPSD 2025前瞻|浙江大學王珩宇：碳化硅功率器件空間電荷補償技術

CSPSD 2025前瞻|揚杰科技施?。篠iC功率器件的技術發(fā)展和應用、挑戰(zhàn)和未來趨勢

CSPSD 2025前瞻|南京大學陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運與調控

CSPSD 2025前瞻|九峰山實驗室袁?。盒滦投嗉墱喜垩趸壒β?span id="mqwyyuu" class="highlight">器件的研究

CSPSD 2025前瞻|?深圳大學劉新科：低成本GaN基GaN功率器件

CSPSD 2025前瞻| 西安電子科技大學趙勝雷：GaN HEMT器件擊穿機理多維度分析與探討

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學宋慶文：高性能SiC功率器件關鍵技術研究進展

AI驅動產業(yè)創(chuàng)新，從材料/器件到EDA/設備的多維探索

CSPSD 2025前瞻|江南大學黃偉：高性能宇航級SGT功率器件與輻照模型研究

江南大學成果推介:氮化鎵微波功率器件

總投資超50億元，中低壓功率器件產業(yè)化（株洲）建設項目封頂

CSPSD 2025前瞻|南京大學周峰：氮化鎵功率器件輻射效應與加固技術研究

CSPSD 2025前瞻|南京大學葉建東：氧化鎵異質結構與器件

CSPSD 2025前瞻|愛發(fā)科王鶴鳴：面向功率器件制造的先進離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新

最新報告嘉賓公布！2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD2025）

CSPSD 2025前瞻|北京大學魏進：GaN功率器件動態(tài)電阻與動態(tài)閾值電壓

CSPSD 2025前瞻|熾芯微電子朱正宇：功率器件封裝技術的發(fā)展及展望

CSPSD 2025前瞻|中國科學院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

中國科學院半導體研究所光電子材料與器件全國重點實驗室誠邀全球英才加盟

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻| 電子科技大學喬明：用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術挑戰(zhàn)

瑤芯微申請溝槽型MOSFET器件結構及其制備方法專利，降低器件動態(tài)損耗

重慶萬國半導體申請溝槽型功率半導體器件及其制備方法專利，提高開關速度與線性區(qū)能力

蘇州晶湛半導體申請發(fā)光器件相關專利，提高了發(fā)光器件生產良率

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