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CSPSD 2025前瞻|江南大學(xué)黃偉：高性能宇航級SGT功率器件與輻照模型研究

江南大學(xué)成果推介:氮化鎵微波功率器件

總投資超50億元，中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項目封頂

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)周峰：氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)葉建東：氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件

CSPSD 2025前瞻|愛發(fā)科王鶴鳴：面向功率器件制造的先進(jìn)離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新

最新報告嘉賓公布！2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD2025）

CSPSD 2025前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：GaN功率器件動態(tài)電阻與動態(tài)閾值電壓

CSPSD 2025前瞻|熾芯微電子朱正宇：功率器件封裝技術(shù)的發(fā)展及展望

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所光電子材料與器件全國重點實驗室誠邀全球英才加盟

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻| 電子科技大學(xué)喬明：用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術(shù)挑戰(zhàn)

瑤芯微申請溝槽型MOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低器件動態(tài)損耗

重慶萬國半導(dǎo)體申請溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高開關(guān)速度與線性區(qū)能力

蘇州晶湛半導(dǎo)體申請發(fā)光器件相關(guān)專利，提高了發(fā)光器件生產(chǎn)良率

三安半導(dǎo)體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

廣東比亞迪節(jié)能科技申請MEMS器件及其封裝方法專利，降低主體晶圓與襯底晶圓封裝難度

美國海關(guān)宣布對消費電子、服務(wù)器、半導(dǎo)體器件等20項商品豁免關(guān)稅

英飛凌科技申請功率半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，提升功率半導(dǎo)體器件性能

黑龍江匯芯半導(dǎo)體申請集成有SiC功率器件短路保護(hù)的智能功率模塊專利，短路保護(hù)精度和效率更高

魯晶半導(dǎo)體與山東大學(xué)共建碳化硅功率器件產(chǎn)學(xué)研合作新生態(tài)

聞泰科技：公司預(yù)計包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開始逐步放量

冠石科技顯示器件募投項目結(jié)項，將向光掩膜版項目增資1.33億元

國星光電：子公司風(fēng)華芯電氮化鎵器件實現(xiàn)量產(chǎn)并開始接單

上海光通信申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，縮小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)線寬提高器件密度

會議通知| 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）將于5月22-24日在南京召開

中芯北方取得半導(dǎo)體器件及其形成方法專利

中信證券：建議關(guān)注SiC器件領(lǐng)軍廠商以及襯底環(huán)節(jié)的本土龍頭

廣東芯賽威取得電源管理芯片及電路專利，可提高氮化鎵器件在電源應(yīng)用中的可靠性

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