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三安半導(dǎo)體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

廣東比亞迪節(jié)能科技申請MEMS器件及其封裝方法專利，降低主體晶圓與襯底晶圓封裝難度

美國海關(guān)宣布對消費電子、服務(wù)器、半導(dǎo)體器件等20項商品豁免關(guān)稅

英飛凌科技申請功率半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，提升功率半導(dǎo)體器件性能

黑龍江匯芯半導(dǎo)體申請集成有SiC功率器件短路保護的智能功率模塊專利，短路保護精度和效率更高

魯晶半導(dǎo)體與山東大學(xué)共建碳化硅功率器件產(chǎn)學(xué)研合作新生態(tài)

聞泰科技：公司預(yù)計包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開始逐步放量

冠石科技顯示器件募投項目結(jié)項，將向光掩膜版項目增資1.33億元

國星光電：子公司風華芯電氮化鎵器件實現(xiàn)量產(chǎn)并開始接單

上海光通信申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，縮小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)線寬提高器件密度

會議通知| 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）將于5月22-24日在南京召開

中芯北方取得半導(dǎo)體器件及其形成方法專利

中信證券：建議關(guān)注SiC器件領(lǐng)軍廠商以及襯底環(huán)節(jié)的本土龍頭

廣東芯賽威取得電源管理芯片及電路專利，可提高氮化鎵器件在電源應(yīng)用中的可靠性

先導(dǎo)科技半導(dǎo)體激光雷達及傳感器件產(chǎn)業(yè)化項目預(yù)計10月竣工！

“2024年度華強電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌評選”獲獎榜單重磅公布！

泰克科技張欣：新型功率器件的特性表征?|CASICON重慶站

江蘇芯旺電子科技取得MOSFET器件用制造加工裝置專利，提高加工效率

報告前瞻| 陽光電動力萬富翔：新一代功率器件并聯(lián)技術(shù)在電驅(qū)系統(tǒng)的應(yīng)用

CASA立項《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項團體標準

廈門市三安集成電路有限公司取得氮化鎵半導(dǎo)體器件專利，防水汽侵蝕能力較高

長飛先進半導(dǎo)體申請功率器件及相關(guān)專利，降低功耗

報告前瞻|湖南三安半導(dǎo)體許志維：SiC MOSFET器件技術(shù)之發(fā)展與挑戰(zhàn)

紫光同芯“一種SGT器件及其制備方法”專利公布

杭州士蘭微電子取得半導(dǎo)體器件專利，控制了柵漏電容

總投資10億元，芯瓷科技半導(dǎo)體功率器件用DPC陶瓷基板項目投產(chǎn)

年產(chǎn)100萬只高速光通信器件和模塊項目正式啟動廠房裝修工程

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

世界首個采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投運

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

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