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中科院微電子所在GaN器件研究方面取得重要進展

中國科大在仿生光電神經(jīng)感知器件領(lǐng)域取得新突破

西電在邏輯運算器件領(lǐng)域取得重要突破

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所在氮化物位錯演化機制及光電神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)器件研究領(lǐng)域取得新進展

北京大學(xué)在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進展

晶合集成申請半導(dǎo)體專利，能提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和平衡性

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

日本開發(fā)在磁場下實現(xiàn)電阻開關(guān)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件

成果推薦| 基于凹槽二次外延技術(shù)的p-GaN柵極增強型電力電子器件

山東大學(xué)郝曉濤團隊在有機半導(dǎo)體光伏器件物理研究中取得新進展

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院器件工藝團隊研發(fā)基于全無機鈣鈦礦的多功能集成光子器件

西電郝躍院士團隊在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進展

北大團隊新型器件技術(shù)加速GaN進入工業(yè)與汽車應(yīng)用

聯(lián)合攻關(guān)成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功

量子半導(dǎo)體器件實現(xiàn)拓撲趨膚效應(yīng)

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團隊成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點的實驗晶體管！

北大團隊研發(fā)超低動態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團隊在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進展

北京大學(xué)申請半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)專利

中國科學(xué)院長春光機所黎大兵研究團隊喜獲吉林省技術(shù)發(fā)明一等獎

九峰山實驗室著力破解太赫茲器件頻率瓶頸

嘉善復(fù)旦研究院與復(fù)旦大學(xué)科研團隊在低傳導(dǎo)損耗功率器件方面取得重大進展

蘇州納米所在新型氮化鎵基光電器件領(lǐng)域取得進展

西安電子科技大學(xué)郝躍院士團隊：氧化鎵功率器件研究成果

電子科技大學(xué)羅小蓉課題組在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件領(lǐng)域取得研究進展

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院楊迎國等在鈣鈦礦半導(dǎo)體光電器件研究方面取得進展

中山大學(xué)王鋼教授團隊在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進展

中國科大在功率電子器件領(lǐng)域取得重要進展

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動態(tài)可靠性研究方面取得進展

CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評價技術(shù)體系報告》

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