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南京郵電大學(xué)氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破

簡述功率半導(dǎo)體器件之IGBT技術(shù)及市場發(fā)展概況

廈大與黑龍江大學(xué)研究人員合作在有機(jī)光子器件及其集成領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

湖南科技大學(xué)材料學(xué)院在半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域取得新進(jìn)展

簡述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

簡述碳化硅功率器件封裝的三個關(guān)鍵技術(shù)

簡述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長研究

北京大學(xué)在氧化物半導(dǎo)體器件方向取得系列重要進(jìn)展

簡述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

簡述選擇GaN或SiC器件的重點(diǎn)

東南大學(xué)兩項(xiàng)研究成果發(fā)表于電子器件領(lǐng)域頂會IEDM

上海微系統(tǒng)所在碳化硅異質(zhì)集成材料與光子器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

武漢大學(xué)袁超研究員：熱反射表征技術(shù)在寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)展

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院朱顥研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件

中國科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

簡述第三代半導(dǎo)體材料和器件中的熱科學(xué)和工程問題

復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件

寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體在壓電與射頻器件中的應(yīng)用

淺述GaN功率器件的發(fā)展

簡述碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用

Nature Electronics 電力電子首篇綜述 - 功率器件的多維結(jié)構(gòu)

北京交大科研團(tuán)隊(duì)提出GaN器件動態(tài)導(dǎo)通電阻的精確測試與優(yōu)化方法

簡述SiC功率器件的新發(fā)展和挑戰(zhàn)

IFWS 2022看點(diǎn)前瞻：射頻電子材料與器件

盤點(diǎn)我國金剛石半導(dǎo)體與器件科研團(tuán)隊(duì)

半導(dǎo)體所等研究團(tuán)隊(duì)合作在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列進(jìn)展

簡述碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

高壓碳化硅器件封裝國內(nèi)外研究進(jìn)展

金剛石在器件散熱應(yīng)用中的研究動態(tài)幾則

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