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北京大學團隊成功研制無閾值電壓負漂650V/10A增強型GaN器件

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意見征集 | 北大光電院牽頭的異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測試方法標準形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻|北京大學魏進：GaN功率器件動態(tài)電阻與動態(tài)閾值電壓

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CSE同期活動丨科技與文化交融！湖北科技文化創(chuàng)新交流活動即將啟幕

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《北京市5G規(guī)?；瘧?quot;揚帆"行動升級方案（2025—2027年）》正式發(fā)布

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