據國家知識產權局公告，合肥晶合集成電路股份有限公司申請一項名為“一種半導體器件的制作方法“，公開號CN202410458342.1，申請日期為2024年4月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種半導體器件的制作方法，屬于半導體技術領域。所述制作方法包括：提供一襯底，包括用于形成PMOS晶體管的第一區(qū)域和用于形成NMOS晶體管的第二區(qū)域；在襯底上形成多個偽柵極，分別設置在第一區(qū)域和第二區(qū)域上；在襯底上形成介質層，介質層的表面與偽柵極的表面齊平；去除偽柵極，形成凹部；在介質層、凹部的底部和側壁上依次形成第一金屬功函數層和第二金屬功函數層；還原第二區(qū)域上的第二金屬功函數層，形成還原層；去除還原層；在第一區(qū)域的第二金屬功函數層上以及第二區(qū)域的第一金屬功函數層上形成金屬導電層。通過本發(fā)明提供的一種半導體器件的制作方法，能夠提高半導體器件的穩(wěn)定性和平衡性。