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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應(yīng)用

量子半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)拓?fù)溱吥w效應(yīng)

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團(tuán)隊成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)晶體管！

唐為華教授團(tuán)隊通過熱重排工程和能帶調(diào)制實(shí)現(xiàn)可調(diào)諧的 Ga?O? 日盲光敏性能

清溢光電：已實(shí)現(xiàn)180nm工藝節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體芯片掩膜版的量產(chǎn)

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在脈沖型人工視覺芯片研制取得新進(jìn)展

中科院物理所陳小龍團(tuán)隊：晶圓級立方碳化硅單晶生長取得突破

北大團(tuán)隊研發(fā)超低動態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

中國科學(xué)家提出基于信號關(guān)聯(lián)的新量子傳感范式

首個由石墨烯制成的功能半導(dǎo)體問世?電子遷移率是硅的10倍

石墨烯芯片制造領(lǐng)域，重要里程碑→

新進(jìn)展！西安交通大學(xué)實(shí)現(xiàn)2英寸單晶金剛石異質(zhì)外延自支撐襯底量產(chǎn)

上海光機(jī)所在高重頻高功率超快激光器研究取得進(jìn)展

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團(tuán)隊在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進(jìn)展

廈門大學(xué)林楷強(qiáng)教授團(tuán)隊在二維半導(dǎo)體材料的激子研究方面取得新進(jìn)展

4H-SiC 中基面位錯滑移帶表征和外延傳播

日本團(tuán)隊：金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展

北京大學(xué)申請半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)專利

中國科學(xué)院長春光機(jī)所黎大兵研究團(tuán)隊喜獲吉林省技術(shù)發(fā)明一等獎

武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運(yùn)領(lǐng)域最新研究進(jìn)展

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

太原理工大學(xué)和武漢大學(xué)在金剛石/氮化鎵薄膜生長工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進(jìn)展

中科院半導(dǎo)體研究所公開一項(xiàng)集成光子芯片專利可提升光模塊性能

全球首顆！我國芯片領(lǐng)域取得重大突破！

九峰山實(shí)驗(yàn)室著力破解太赫茲器件頻率瓶頸

中科大龍世兵課題組 | 基于交變柵壓調(diào)制的Ga2O3光電探測器

日本開發(fā)新技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電

寧波材料所研發(fā)氧化鎵基日盲紫外光電探測器的低溫制備技術(shù)

廈大曹陽教授團(tuán)隊在單原子層六方氮化硼用于提升析氧反應(yīng)性能研究方面取得進(jìn)展

北理工團(tuán)隊在室溫運(yùn)行中波紅外探測器研究方面取得突破性進(jìn)展

科研新進(jìn)展 | 廈門大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果

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