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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財(cái)經(jīng)應(yīng)用

簡(jiǎn)述功率半導(dǎo)體器件之IGBT技術(shù)及市場(chǎng)發(fā)展概況

廈大與黑龍江大學(xué)研究人員合作在有機(jī)光子器件及其集成領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

第三代半導(dǎo)體SiC芯片關(guān)鍵裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

中國(guó)科大首次實(shí)現(xiàn)基于碳化硅中硅空位色心的高壓原位磁探測(cè)

西安交大科研人員在垂直結(jié)構(gòu)hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)電學(xué)特性研究方面取得重要進(jìn)展

廈大研究團(tuán)隊(duì)在高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測(cè)器研究取得進(jìn)展

簡(jiǎn)述金剛石在 GaN 功率放大器熱設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

國(guó)際首次！科研團(tuán)隊(duì)在基于碳化硅硅空位色心的高壓原位磁探測(cè)研究方面取得突破

復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)自激活存算一體超快閃存

中國(guó)科大在電源管理芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得新進(jìn)展

湖南科技大學(xué)材料學(xué)院在半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域取得新進(jìn)展

國(guó)內(nèi)首家！廈門大學(xué)實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長(zhǎng)

世界首例！西湖大學(xué)發(fā)現(xiàn)具有本征相干性的光陰極量子材料

簡(jiǎn)述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

內(nèi)置深度學(xué)習(xí)算法|OPT（奧普特）智能讀碼器精準(zhǔn)識(shí)碼

半導(dǎo)體所成功研制一款極低電壓低抖動(dòng)低功耗頻率綜合器芯片

東大科研團(tuán)隊(duì)3篇論文入選第70屆“芯片設(shè)計(jì)國(guó)際奧林匹克會(huì)議”（ISSCC）

西安郵電大學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室成功制備高耐壓性能半導(dǎo)體材料

簡(jiǎn)述HVPE 法 GaN 單晶摻雜研究新進(jìn)展

突破！中國(guó)科大研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)造性開發(fā)出半導(dǎo)體材料激光直寫方法

臺(tái)灣中山大學(xué)突破6英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)！

半導(dǎo)體SERS基底非吸附分析物檢測(cè)獲進(jìn)展

半導(dǎo)體所在激子-聲子的量子干涉研究中獲進(jìn)展

簡(jiǎn)述SiC碳化硅單晶的生長(zhǎng)原理

從600塊降到10塊，中科院攻克重要芯片技術(shù)難關(guān)

簡(jiǎn)述碳化硅功率器件封裝的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展帶動(dòng)下 PBN（熱解氮化硼）市場(chǎng)需求空間廣闊

中國(guó)科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

簡(jiǎn)述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長(zhǎng)研究

中科院研發(fā)銅摻雜p型半導(dǎo)體材料，可印制1-20nm厚的二維薄膜材料

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