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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應(yīng)用

中國科學(xué)家提出基于信號關(guān)聯(lián)的新量子傳感范式

首個由石墨烯制成的功能半導(dǎo)體問世?電子遷移率是硅的10倍

石墨烯芯片制造領(lǐng)域，重要里程碑→

新進展！西安交通大學(xué)實現(xiàn)2英寸單晶金剛石異質(zhì)外延自支撐襯底量產(chǎn)

上海光機所在高重頻高功率超快激光器研究取得進展

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團隊在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進展

廈門大學(xué)林楷強教授團隊在二維半導(dǎo)體材料的激子研究方面取得新進展

4H-SiC 中基面位錯滑移帶表征和外延傳播

日本團隊：金剛石MOSFET研制取得最新進展

北京大學(xué)申請半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)專利

中國科學(xué)院長春光機所黎大兵研究團隊喜獲吉林省技術(shù)發(fā)明一等獎

武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運領(lǐng)域最新研究進展

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

太原理工大學(xué)和武漢大學(xué)在金剛石/氮化鎵薄膜生長工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進展

中科院半導(dǎo)體研究所公開一項集成光子芯片專利可提升光模塊性能

全球首顆！我國芯片領(lǐng)域取得重大突破！

九峰山實驗室著力破解太赫茲器件頻率瓶頸

中科大龍世兵課題組 | 基于交變柵壓調(diào)制的Ga2O3光電探測器

日本開發(fā)新技術(shù)，可實現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電

寧波材料所研發(fā)氧化鎵基日盲紫外光電探測器的低溫制備技術(shù)

廈大曹陽教授團隊在單原子層六方氮化硼用于提升析氧反應(yīng)性能研究方面取得進展

北理工團隊在室溫運行中波紅外探測器研究方面取得突破性進展

科研新進展 | 廈門大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果

中國首個繆子源實驗站即將開建

上海技物所在片上紅外光電邏輯門智能芯片研究方面取得進展

南開團隊在缺陷調(diào)控構(gòu)筑新光電材料方面取得重要進展

清華發(fā)布新Nature，實現(xiàn)光電融合新突破！

我國芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)新突破算力提升三千余倍

上海硅酸鹽所碳化硅陶瓷增材制造研究獲進展

國際首次！南大團隊將二維半導(dǎo)體集成電路推向千兆赫茲

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