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IFWS2025：碳化硅材料生長及應(yīng)用分會最新報告出爐！

IFWS&SSLCHINA 2025：氮化物材料生長及光電技術(shù)分會最新報告出爐！

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|北京大學(xué)鞠光旭：基于同步輻射X射線的OMVPE條件下 (In)GaN生長動力學(xué)原位研究

新突破│鎵仁半導(dǎo)體首發(fā)VB法生長最厚6英寸（010）面氧化鎵晶體

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名城大學(xué)教授Satoshi Kamiyama：GaN納米線和GaInN基多量子殼晶體生長和光子器件應(yīng)用

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|韓國東義大學(xué)WON-JAE LEE：SiC晶體高質(zhì)量、低成本體生長研究進展

2025云南晶體大會前瞻|山東大學(xué)張雷 :大尺寸氮化鎵和氮化鋁晶體生長研究新進展

2025云南晶體大會前瞻|?鑫耀半導(dǎo)體劉漢保：基于VGF法的低氧含量半絕緣砷化鎵單晶生長工藝優(yōu)化及電學(xué)性質(zhì)研究

2025云南晶體大會前瞻|?云南鍺業(yè)惠峰：鍺、三五族化合物半導(dǎo)體單晶生長技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展

2025云南晶體大會前瞻|?中國科學(xué)院半導(dǎo)體所沈桂英：InP、GaSb與InAs單晶生長、襯底制備及缺陷研究進展

2025云南晶體大會前瞻|浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心韓學(xué)峰：PVT法生長4H-SiC晶體的缺陷形成與摻雜機理研究

2025云南晶體大會前瞻|云南大學(xué)王茺：GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長機理及其光電探測性能研究

Science Advances：南京大學(xué)聯(lián)合團隊突破外延襯底限制，實現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜外延生長

2025云南晶體大會前瞻|南京大學(xué)修向前：氮化鎵襯底生長工藝及設(shè)備技術(shù)研究

Science Advances：南京大學(xué)聯(lián)合團隊突破外延襯底限制，實現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜外延生長

武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質(zhì)量成核與生長難題，為跨材料、跨功能的寬禁帶半導(dǎo)體異構(gòu)集成掃清了關(guān)鍵障礙

刷新紀錄！鄭州大學(xué)實現(xiàn)大尺寸高質(zhì)量金剛石激光晶體批量生長

南京工業(yè)大學(xué)先進材料AM：界面誘導(dǎo)生長法制備高效錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學(xué)賀小敏：氧化鎵異質(zhì)外延生長及材料特性研究

重磅發(fā)布 | 2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標準正式發(fā)布

廣州南砂晶圓申請用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及應(yīng)用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質(zhì)量

鎵特半導(dǎo)體取得一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應(yīng)器專利，能夠提升氮化鎵晶圓片生長尺寸

采用金屬有機化學(xué)氣相沉積原位脈沖鋁原子輔助法生長的（001）β-Ga2O3外延層

鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵單晶生長突破性成果在晶體領(lǐng)域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長裝置專利，有利于生長空間的穩(wěn)定性

鄭州勢壘取得用于金剛石生長的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問題，提高產(chǎn)量

鎵和半導(dǎo)體李山：氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究

中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長的CVD設(shè)備 |?IFWS&SSLCHINA2024

杭州鎵仁半導(dǎo)體實現(xiàn)直拉法2英寸N型氧化鎵單晶生長

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