半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，合盛硅業(yè)股份有限公司下屬單位 寧波合盛新材料有限公司成功研發(fā)12英寸（300mm）導(dǎo)電型碳化硅（SiC）晶體，并啟動(dòng)切、磨、拋等加工技術(shù)的研究。經(jīng)過(guò)多年的潛心研究與深入鉆研，寧波合盛新材料成功攻克了從高純石墨純化、碳化硅多晶粉料制備到單晶碳化硅生長(zhǎng)、襯底加工等全流程的核心技術(shù)難關(guān)。過(guò)去的2024年，公司在碳化硅材料領(lǐng)域取得了重要突破，8英寸碳化硅襯底及已實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)。這是公司碳化硅項(xiàng)目研究過(guò)程中的重要里程碑，標(biāo)志著合盛硅業(yè)在大尺寸碳化硅晶體、晶片制備技術(shù)上已躋身國(guó)際先進(jìn)水平。但合盛硅業(yè)并沒(méi)有滿足于此，2025年5月，其在更大尺寸晶錠和襯底制備方面也實(shí)現(xiàn)較大進(jìn)展，已突破12英寸的SiC長(zhǎng)晶技術(shù)。

12英寸晶片

12英寸晶錠

全球碳化硅擴(kuò)產(chǎn)持續(xù)，供應(yīng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，國(guó)際龍頭企業(yè)紛紛布局8英寸襯底。目前國(guó)際SiC商業(yè)化碳化硅襯底以6-8英寸為主，國(guó)內(nèi)企業(yè)也開(kāi)始發(fā)布12英寸晶體或襯底。合盛硅業(yè)基于自主設(shè)計(jì)的SiC單晶生長(zhǎng)爐以及多年的技術(shù)攻關(guān)，創(chuàng)新坩堝設(shè)計(jì)，使用多孔與涂層石墨技術(shù)，實(shí)現(xiàn)超大晶體所需的高通量生長(zhǎng)。

12英寸切割片

12英寸晶體直徑

碳化硅具有高硬度、高熔點(diǎn)、化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)等特點(diǎn)，加工難度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅材料，12英寸碳化硅（SiC）晶體的成功研制在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中具有里程碑式的重大意義。大尺寸晶體所生產(chǎn)的晶圓意味著單位面積出芯片數(shù)能夠大幅提升，極大地減少了因晶圓邊緣區(qū)域無(wú)法充分利用而造成的材料浪費(fèi)，有效降低了功率器件的制造成本，提升經(jīng)濟(jì)效益。同時(shí)，SiC器件廣泛用于新能源汽車、光伏發(fā)電、5G通信等高效能產(chǎn)業(yè)，對(duì)能效和體積優(yōu)化至關(guān)重要。大尺寸晶圓的突破將加速這些產(chǎn)業(yè)的升級(jí)換代。

在全球碳化硅擴(kuò)產(chǎn)加速、供應(yīng)競(jìng)爭(zhēng)激烈的大環(huán)境下，國(guó)際與國(guó)內(nèi)企業(yè)的不同布局策略反映了產(chǎn)業(yè)發(fā)展的多元態(tài)勢(shì)。合盛硅業(yè)在技術(shù)創(chuàng)新上邁出的堅(jiān)實(shí)一步——首次實(shí)現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)突破，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)鏈邁入新紀(jì)元，更為行業(yè)突破國(guó)際技術(shù)壁壘、實(shí)現(xiàn)自主可控發(fā)展提供了寶貴的經(jīng)驗(yàn)和示范。