2025年4月29日，由北京華峰測(cè)控技術(shù)股份有限公司牽頭起草的3項(xiàng)SiC MOSFET技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已完成征求意見(jiàn)稿的編制，正式面向聯(lián)盟成員單位征求意見(jiàn)，為期一個(gè)月。根據(jù)聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化工作管理辦法，2025年4月29日起開(kāi)始征求意見(jiàn)，截止日期2025年5月29日。 

征求意見(jiàn)稿已經(jīng)由秘書(shū)處郵件發(fā)送至聯(lián)盟成員單位；非聯(lián)盟成員單位如有需要，可發(fā)郵件至casas@casa-china.cn。

征求意見(jiàn)標(biāo)準(zhǔn)列表（No.1）

T/CASAS 038—202X《SiC MOSFET非鉗電感開(kāi)關(guān)（UIS）測(cè)試方法》 

本文件規(guī)定了SiC MOSFET非鉗位電感開(kāi)關(guān)（UIS）的測(cè)試方法，包括單脈沖雪崩擊穿能量（EAS）和重復(fù)雪崩擊穿能量（EAR）的測(cè)試原理、測(cè)試流程、數(shù)據(jù)記錄和處理等內(nèi)容。 

本文件適用于SiC MOSFET分立器件在FT（Final Test）、CP（Chip Probe）、KGD（Known Good Die）、實(shí)驗(yàn)室研發(fā)等階段的UIS測(cè)試。對(duì)于SiC MOSFET功率模塊，可在將單管封裝成模塊前參照本文件對(duì)單管進(jìn)行測(cè)試。

T/CASAS 039—202X《SiC MOSFET單管功率器件短路可靠性測(cè)試方法》 

本文件規(guī)定了SiC MOSFET單管功率器件短路可靠性的測(cè)試方法，包括Ⅰ類(lèi)、Ⅱ類(lèi)、Ⅲ類(lèi)短路的測(cè)試原理、測(cè)試流程、數(shù)據(jù)記錄和處理等內(nèi)容。 

本文件適用于SiC MOSFET單管功率器件在FT（Final Test）、CP（Chip Probe）、KGD（Known Good Die）、實(shí)驗(yàn)室研發(fā)等階段的短路可靠性測(cè)試。

T/CASAS 040—202X《SiC MOSFET功率模塊短路可靠性測(cè)試方法》

本文件規(guī)定了SiC MOSFET功率模塊短路可靠性測(cè)試方法，包括測(cè)試原理、測(cè)試流程、數(shù)據(jù)記錄和處理等內(nèi)容。 

本文件適用于SiC MOSFET功率模塊在FT（Final Test）、實(shí)驗(yàn)室研發(fā)等階段的短路可靠性測(cè)試。 

（來(lái)源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟）