5月21日，科創(chuàng)板細分行業(yè)集體業(yè)績說明會之先進軌道交通行業(yè)專場于上證路演中心召開。會上株洲中車時代電氣股份有限公司就重點項目進展、新的經(jīng)營計劃等內(nèi)容和投資者展開交流。

株洲中車董事長、執(zhí)行董事李東林向投資者表示，株洲三期于2024年11月份啟動建設，2025年5月，主體廠房封頂，預計2025年下半年啟動設備搬入，2025年底有望實現(xiàn)產(chǎn)線拉通，該項目為8英寸SiC晶圓。

據(jù)介紹，株洲中車擁有一條6英寸SiC芯片產(chǎn)線，當前已具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸SiC芯片產(chǎn)能。

當前株洲中車SiC第三代精細平面柵產(chǎn)品已定型，技術水平行業(yè)主流；第四代溝槽柵設計定型，達行業(yè)先進水平，并且對第五代SiC技術完成布局。

目前SiC重點產(chǎn)品包括3300V高壓平面柵SiC MOSFET、1200V精細平面柵SiC MOSFET，1200V SBD等，1200V溝槽柵 SiC MOSFET性能指標基本對標國際龍頭企業(yè)。2022年底，新能源車用全SiCC-Car平臺孵化的全新一代產(chǎn)品C-Power 220s正式發(fā)布，目前正在整車廠送樣驗證階段。

李東林還介紹道，公司SiC MOSFET覆蓋650V-6500V電壓等級，適合高頻/大功率密度系統(tǒng)要求，可廣泛應用于新能源汽車、UPS、風力發(fā)電、光伏逆變器、鐵路運輸、工業(yè)、智能電網(wǎng)等領域。公司SiC產(chǎn)品（SBD）在光伏領域批量供貨，SiC TO器件在充電樁、OBC、電源檢測等領域批量供貨。2025年公司SiC MOSFET產(chǎn)品有望突破新能源車主驅批量出貨。

來源：證券時報網(wǎng)