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年底通線!株洲中車8英寸SiC產線披露最新進展

日期:2025-05-26 閱讀:521
核心提示:株洲中車董事長、執(zhí)行董事李東林向投資者表示,株洲三期于2024年11月份啟動建設,2025年5月,主體廠房封頂,預計2025年下半年啟動設備搬入,2025年底有望實現產線拉通,該項目為8英寸SiC晶圓。

 5月21日,科創(chuàng)板細分行業(yè)集體業(yè)績說明會之先進軌道交通行業(yè)專場于上證路演中心召開。會上株洲中車時代電氣股份有限公司就重點項目進展、新的經營計劃等內容和投資者展開交流。

株洲中車董事長、執(zhí)行董事李東林向投資者表示,株洲三期于2024年11月份啟動建設,2025年5月,主體廠房封頂,預計2025年下半年啟動設備搬入,2025年底有望實現產線拉通,該項目為8英寸SiC晶圓。

據介紹,株洲中車擁有一條6英寸SiC芯片產線,當前已具備年產2.5萬片6英寸SiC芯片產能。

當前株洲中車SiC第三代精細平面柵產品已定型,技術水平行業(yè)主流;第四代溝槽柵設計定型,達行業(yè)先進水平,并且對第五代SiC技術完成布局。

目前SiC重點產品包括3300V高壓平面柵SiC MOSFET、1200V精細平面柵SiC MOSFET,1200V SBD等,1200V溝槽柵 SiC MOSFET性能指標基本對標國際龍頭企業(yè)。2022年底,新能源車用全SiCC-Car平臺孵化的全新一代產品C-Power 220s正式發(fā)布,目前正在整車廠送樣驗證階段。

李東林還介紹道,公司SiC MOSFET覆蓋650V-6500V電壓等級,適合高頻/大功率密度系統(tǒng)要求,可廣泛應用于新能源汽車、UPS、風力發(fā)電、光伏逆變器、鐵路運輸、工業(yè)、智能電網等領域。公司SiC產品(SBD)在光伏領域批量供貨,SiC TO器件在充電樁、OBC、電源檢測等領域批量供貨。2025年公司SiC MOSFET產品有望突破新能源車主驅批量出貨。

來源:證券時報網

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