4月27日，中國有色金屬工業(yè)協(xié)會在無錫組織召開科技成果評價會。由中科院技物所褚君浩院士，有研科技集團周旗鋼教授以及來自東南大學，南京航空航天大學，浙大科創(chuàng)中心等的五位專家組成的專家組，對由連科半導體有限公司等單位完成的兩項科技成果進行了評價。

胡動力博士匯報碳化硅電阻爐項目專家組一致認為，“8 吋 / 12 吋碳化硅電阻爐及工藝成套技術(shù)” 項目，聯(lián)合了浙江大學等單位，在行業(yè)首次推出直流雙電源加熱器、雙溫區(qū)熱場結(jié)構(gòu)，加熱功率下降35%，降低到28Kw；開發(fā)了高精度控制軟件，實現(xiàn)了對氣體流量、壓力的精確控制，滿足了8吋/12吋SiC單晶的穩(wěn)定生長，技術(shù)難度大、復雜程度高。在多家碳化硅襯底企業(yè)推廣應(yīng)用后，經(jīng)濟、社會效益顯著，助力客戶生長8吋/12吋碳化硅晶體，厚度達到5cm以上。項目整體技術(shù)達到國際領(lǐng)先水平。

8吋區(qū)熔爐項目匯報“200mm 區(qū)熔硅單晶爐成套技術(shù)”項目，獨創(chuàng)了下主軸與密封內(nèi)襯分別由伺服電機驅(qū)動并同步耦合控制的技術(shù)，及第二相機測量熔化流量的控制新思路，攻克了主軸高精密加工和裝配問題。形成了關(guān)鍵技術(shù)-樣機示范-產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的全鏈條技術(shù)體系。技術(shù)難度大、復雜程度高。項目技術(shù)已在有研半導體硅材料股份公司成功投產(chǎn)并穩(wěn)定運行，技術(shù)重現(xiàn)性好、成熟度高。項目整體技術(shù)達到國際領(lǐng)先水平。

專家組成員合影連科半導體有限公司自成立以來，一直致力于半導體設(shè)備的研發(fā)與制造，多項成果處于行業(yè)先進水平，獲得天岳首屆優(yōu)秀供應(yīng)商和SEMI可持續(xù)發(fā)展杰出貢獻獎。此次兩項科技成果獲得國際領(lǐng)先的鑒定，是對公司研發(fā)實力和技術(shù)水平的高度認可。來源：連科半導體官微