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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學特聘教授Tohru Oka：基于SPICE模擬的垂直GaN MOSFET性能預測和損耗分析

標準 | 《半橋拓撲中SiC MOSFET開關損耗準確評估測試方法》立項

效率損耗雙領跑！大族半導體SiC晶錠激光剝片技術單片15min單耗470μm！

瑤芯微申請溝槽型MOSFET器件結構及其制備方法專利，降低器件動態(tài)損耗

廣州華瑞升陽申請寬禁帶半導體器件專利，降低寬禁帶半導體器件導通損耗和柵介質層擊穿風險

捷捷微電取得降低開關損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法專利，降低了開關損耗

北京大學申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導通電阻進而降低損耗

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CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學魏杰：高速低損耗SOI LIGBT新結構與機理研究

CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料實驗室王方洲：低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究

華為公司申請半導體器件及其制備方法專利，降低半導體器件的功率損耗

通用電氣申請超結功率半導體裝置專利，減少切換損耗

嘉善復旦研究院與復旦大學科研團隊在低傳導損耗功率器件方面取得重大進展

【國際論文】具有集成鰭型二極管的低反向導通損耗氧化鎵縱向FinFET

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東芝、電裝等力爭2030年前實現功率半導體電力損耗減半

東芝、電裝等開發(fā)功率半導體節(jié)能技術，力爭2030年前實現電力損耗減半

日本東芝開發(fā)的功率半導體，最大可降低40.5%的功率損耗

降損耗，高可靠！東南大學科研團隊氮化鎵項目再獲突破

如何減少SiC MOSFET的EMI和開關損耗

技術 | 20 VIN、8 A高效率微型封裝降壓型μModule器件

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提高功率密度的利弊權衡及所需技術

GaN器件的直接驅動配置

GaN 將能源效率推升至新高度

東芝推出600V小型智能功率器件，助力降低電機功率損耗

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