專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種溝槽型MOSFET器件結構及其制備方法，本發(fā)明的溝槽型MOSFET器件結構或制備的溝槽型MOSFET器件結構中，柵極導電結構包括多層柵極多晶硅層，其中，相鄰兩層柵極多晶硅層的摻雜類型不同，從而在柵極導電結構內部形成了至少一個PN結，使得柵極導電結構內部具有至少一個柵極結電容，這個或這些柵極結電容與器件的固有電容(即本征柵漏電容)串聯，使得器件的總柵漏電容變小，柵漏電荷減少，從而有利于降低器件的動態(tài)損耗，同時又不會提高器件的特征導通電阻。也就是說，本發(fā)明的溝槽型MOSFET器件結構及其制備方法優(yōu)化了柵漏電荷和特征導通電阻之間的折中關系，有助于提升器件的電性能。

天眼查資料顯示，瑤芯微（上海）電子科技股份有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以從事軟件和信息技術服務業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本1685.2302萬人民幣。通過天眼查大數據分析，瑤芯微（上海）電子科技股份有限公司共對外投資了4家企業(yè)，財產線索方面有商標信息14條，專利信息139條，此外企業(yè)還擁有行政許可3個。