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上海光機所在硼硅、硼鎢共摻金剛石的制備與性能研究方面取得新進展

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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學(xué)王嘉：通過鎂插層增強氮化鎵中的P型摻雜、接觸性能和器件性能

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：GaN功率電子器件動態(tài)性能提升與抗輻照加固技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院Elison Matioli：邁向高性能GaN功率器件-新興解決方案和創(chuàng)新

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學(xué)特聘教授Tohru Oka：基于SPICE模擬的垂直GaN MOSFET性能預(yù)測和損耗分析

能訊持續(xù)升級高性能氮化鎵工藝平臺，助推產(chǎn)學(xué)研融通創(chuàng)新

南科大深港微電子學(xué)院高源團隊在高性能電源管理芯片領(lǐng)域取得重要研究成果

2025云南晶體大會前瞻|云南大學(xué)王茺：GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長機理及其光電探測性能研究

2025云南晶體大會前瞻|云南大學(xué)邱鋒：晶體本征缺陷的理論研究及晶片表面非故意缺陷的性能調(diào)控

深圳大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件劉新科研究員團隊：通過PEALD-GaO?界面工程實現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

2025云南晶體大會前瞻| 昆明理工大學(xué)鄧家云:磷化銦晶圓力學(xué)性能與加工性能研究

碳化硅功率器件的性能與應(yīng)用前景-國晶微半導(dǎo)體

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富加鎵業(yè)氧化鎵MOCVD同質(zhì)外延片性能再創(chuàng)新高

艾邁斯歐司朗進一步優(yōu)化紅外激光產(chǎn)品，樹立3D傳感性能標(biāo)桿

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CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進展

CSPSD 2025前瞻|江南大學(xué)黃偉：高性能宇航級SGT功率器件與輻照模型研究

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

英飛凌科技申請功率半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，提升功率半導(dǎo)體器件性能

中芯國際申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能

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