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左藍(lán)微電子完成億元B+輪融資，持續(xù)打造射頻濾波器性能新高度

華羿微電申請(qǐng)高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

美國投資14億美元研發(fā)高性能Chiplet

長光華芯申請(qǐng)高功率半導(dǎo)體激光芯片性能評(píng)估及結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法專利，有效提高評(píng)估結(jié)果準(zhǔn)確度

青禾晶元領(lǐng)跑國際，成功研制8寸高性能濾波器用壓電材料POI襯底

我國高性能光子芯片領(lǐng)域取得突破可批量制造！

西安8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)“交地即交證” 總投資45億元

西安8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)線項(xiàng)目爭2024年建成投產(chǎn)

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)巫江：基于化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的高性能器件設(shè)計(jì)與制備

晶合集成申請(qǐng)半導(dǎo)體器件專利，提升半導(dǎo)體器件的性能

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)

比亞迪半導(dǎo)體申請(qǐng)逆導(dǎo)型IGBT功率器件專利，有效抑制負(fù)阻效應(yīng)，提高器件性能

新進(jìn)展│深圳大學(xué)劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測(cè)器研究新成果

唐為華教授團(tuán)隊(duì)通過熱重排工程和能帶調(diào)制實(shí)現(xiàn)可調(diào)諧的 Ga?O? 日盲光敏性能

中科潞安量產(chǎn)產(chǎn)品性能再升級(jí) 大功率UVC-LED器件實(shí)驗(yàn)室效率破9.5%

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所榮獲北京市自然科學(xué)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)

豐田、本田、電裝、瑞薩電子等12家日企宣布合作開發(fā)高性能汽車芯片

大阪公立大學(xué)梁劍波：增強(qiáng) GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能，以適應(yīng)實(shí)際器件應(yīng)用

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

中科院半導(dǎo)體研究所公開一項(xiàng)集成光子芯片專利可提升光模塊性能

量子工程材料如何賦能半導(dǎo)體性能提升？

IFWS 2023│大連理工大學(xué)王德君：提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑

IFWS 2023│ 中國電子科技集團(tuán)第四十六研究所孫杰：高導(dǎo)熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能

IFWS&SSLCHINA 2023│英諾賽科歐洲總經(jīng)理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本

性能位居前列！芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的 850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品

廈大曹陽教授團(tuán)隊(duì)在單原子層六方氮化硼用于提升析氧反應(yīng)性能研究方面取得進(jìn)展

華為全面完成5G-A關(guān)鍵技術(shù)性能測(cè)試 5.5G商用時(shí)代望加速開啟

芯聚威科技完成數(shù)千萬元Pre-A輪融資，專注高性能信號(hào)鏈集成電路產(chǎn)品

拜登政府計(jì)劃阻止英偉達(dá)等出口高性能AI芯片英偉達(dá)回應(yīng)

CASICON 2023深圳前瞻 |托托科技吳陽：第三代半導(dǎo)體裝備從器件制造到性能表征

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