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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院Elison Matioli：邁向高性能GaN功率器件-新興解決方案和創(chuàng)新

能訊持續(xù)升級(jí)高性能氮化鎵工藝平臺(tái)，助推產(chǎn)學(xué)研融通創(chuàng)新

南科大深港微電子學(xué)院高源團(tuán)隊(duì)在高性能電源管理芯片領(lǐng)域取得重要研究成果

深圳大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件劉新科研究員團(tuán)隊(duì)：通過PEALD-GaO?界面工程實(shí)現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

北京大學(xué)許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)高性能中波紫外發(fā)光器件制備

陜西電子芯業(yè)時(shí)代8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)線計(jì)劃9月份通線試生產(chǎn)

中國科學(xué)家首創(chuàng)“蒸籠”方法“長(zhǎng)出”高性能晶體管新材料

CHIPX首片6寸薄膜鈮酸鋰光子芯片晶圓下線，110GHz帶寬高性能薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|江南大學(xué)黃偉：高性能宇航級(jí)SGT功率器件與輻照模型研究

投資5億元，世拓新材料高性能光學(xué)和集成電路高分子材料項(xiàng)目簽約落戶張家港

總投資2億元！江蘇長(zhǎng)光時(shí)空高性能激光芯片項(xiàng)目投產(chǎn)

蘭州大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在日盲光電探測(cè)器件方面突破“RS困境” 實(shí)現(xiàn)高性能光電探測(cè)

Science：AI驅(qū)動(dòng)閉環(huán)設(shè)計(jì)，加速高性能有機(jī)半導(dǎo)體材料發(fā)現(xiàn)

博睿光電梁超：功率器件封裝用高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化技術(shù) | IFWS&SSLCHINA2024

總投資310億元，星柯先進(jìn)光電顯示產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目高性能載板一號(hào)廠房主體封頂

北京大學(xué)深圳研究生院在高性能低維柔性電子集成方向取得重要進(jìn)展

左藍(lán)微電子高性能5G射頻濾波器項(xiàng)目啟動(dòng)

國創(chuàng)中心聯(lián)合研發(fā)中心逐步發(fā)力，“超高性能同質(zhì)外延Micro-LED”取得新突破

英飛凌推出高性能 CIPOS? Maxi 智能功率模塊，適用于功率高達(dá) 4 千瓦的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

光谷實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出高性能量子點(diǎn)光刻膠

華羿微電申請(qǐng)高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

美國投資14億美元研發(fā)高性能Chiplet

青禾晶元領(lǐng)跑國際，成功研制8寸高性能濾波器用壓電材料POI襯底

我國高性能光子芯片領(lǐng)域取得突破可批量制造！

西安8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)“交地即交證” 總投資45億元

西安8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)線項(xiàng)目爭(zhēng)2024年建成投產(chǎn)

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)巫江：基于化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的高性能器件設(shè)計(jì)與制備

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)

新進(jìn)展│深圳大學(xué)劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測(cè)器研究新成果

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