近日,國電南瑞在投資者互動平臺表示,公司自主設計研發(fā)IGBT芯片及模塊,已成功打造部分高壓、中壓系列自主IGBT產(chǎn)品。
國電南瑞是以能源電力智能化為核心的能源互聯(lián)網(wǎng)整體解決方案提供商,是我國能源電力及工業(yè)控制領域卓越的IT企業(yè)和電力智能化領軍企業(yè)。國電南瑞科技股份有限公司成立于2001年2月28日,由南瑞集團作為主發(fā)起人,2003 年9 月在上海證券交易所上市。
歷經(jīng)多年自主創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展,形成智能發(fā)電、智能輸電、智能變電、智能配電、智能用電以及綜合能源等全方位解決方案。歷經(jīng)多年自主創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展,公司發(fā)展成為市值規(guī)模達1800億元的板塊龍頭上市公司。
截止2020 年底,公司擁有電網(wǎng)自動化及工業(yè)控制、繼電保護及柔性輸電、電力自動化信息通信、發(fā)電及水利環(huán)保四大業(yè)務板塊,下設1 個研究院、4 個事業(yè)部,15 家分公司、26 家子公司。
據(jù)了解,IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項目是國電南瑞發(fā)展重點之一。2018年國電南瑞已完成1200伏/50安IGBT、FRD流片。2019年11月,國電南瑞與全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司合作,控股組建南瑞聯(lián)研功率半導體有限責任公司。當時國電南瑞公告稱,其中,國電南瑞以“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項目”的部分募集資金5.59億元出資,持股比例為69.83%;聯(lián)研院以技術(shù)作價出資2.41億元,持股比例為30.17%。
2020年,國電南瑞推進南瑞聯(lián)研科技成果轉(zhuǎn)化,加快IGBT封裝測試生產(chǎn)線建設和自主3300V IGBT芯片模塊研發(fā)及工程應用。當年9月,國電南瑞在互動平臺表示,公司IGBT項目正處于芯片設計研發(fā)、模塊封裝測試及生產(chǎn)線建設階段。
南瑞聯(lián)研半導體有限責任公司是國家電網(wǎng)公司發(fā)展功率半導體產(chǎn)業(yè)的統(tǒng)一平臺,擁有功率半導體芯片設計、芯片制造、封裝測試、工程應用的全流程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化能力。依托南瑞集團和全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院技術(shù)產(chǎn)業(yè)聯(lián)合優(yōu)勢,在電力以及其他領域開展功率半導體器件研發(fā)和制造,提供功率半導體芯片及其應用的整體解決方案。圍繞“三型兩網(wǎng)”發(fā)展戰(zhàn)略需求,在交直流柔性輸電、新能源發(fā)電、電能質(zhì)量治理、用電及節(jié)能等領域開展功率半導體器件自主設計,并逐步拓展到電動汽車、工業(yè)控制等專業(yè)領域,實現(xiàn)功率半導體器件的國產(chǎn)化替代。
南瑞聯(lián)研半導體公司建立了一支以高端功率半導體專家為帶頭人,以具備行業(yè)背景的資深工程師為骨干,專業(yè)齊全、與應用深度融合的頂尖團隊。高起點推進國產(chǎn)功率半導體芯片及模塊的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品研制和標準制定,承擔國家02重大專項、國家重點研發(fā)計劃項目等科技項目40多項,自主研發(fā)了1200V至4500V的IGBT、FRD芯片及模塊,擁有授權(quán)專利20多項,1200V/600A半橋模塊達到國際先進水平。順應“兩網(wǎng)”融合發(fā)展趨勢,在深刻理解電網(wǎng)專業(yè)裝備研發(fā)及應用需求的基礎上,基于 IGBT等功率半導體器件,自主研發(fā)了國際領先的柔性直流換流閥、世界首套統(tǒng)一潮流控制器(UPFC)、國內(nèi)首個虛擬同步機等電網(wǎng)關鍵裝備。
南瑞聯(lián)研半導體公司建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售市場、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整產(chǎn)業(yè)鏈,建成了包括功率器件動靜態(tài)參數(shù)測試平臺、可靠性測試平臺和極限能力測試平臺的電力系統(tǒng)電力電子器件實驗室及中試線,擁有國內(nèi)技術(shù)領先的高能離子注入機和激光退火設備,形成了年產(chǎn)15000片硅晶圓和5000只IGBT模塊加工能力。通過上市公司募集16.4億元IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展資金,投資近2億元建設IGBT封裝測試生產(chǎn)線,建成后將形成年產(chǎn)20萬片IGBT模塊生產(chǎn)能力,整體技術(shù)達到國際先進水平。