盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“盛美上海”）（科創(chuàng)板股票代碼：688082），作為一家為半導(dǎo)體前道和先進(jìn)晶圓級(jí)封裝應(yīng)用提供晶圓工藝解決方案的卓越供應(yīng)商，今日宣布對(duì)其Ultra C wb濕法清洗設(shè)備進(jìn)行了重大升級(jí)。此次全新升級(jí)旨在滿足先進(jìn)節(jié)點(diǎn)制造工藝的苛刻技術(shù)要求。

升級(jí)后的Ultra C wb采用了專利申請(qǐng)中的氮?dú)猓∟2）鼓泡技術(shù)，有效解決了濕法刻蝕均勻性差和副產(chǎn)物二次沉積問題。在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)制造工藝中，這些問題常見于高深寬比溝槽和通孔結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)磷酸濕法清洗工藝。氮?dú)夤呐菁夹g(shù)不但提升了磷酸傳輸效率，而且提高了濕法刻蝕槽內(nèi)溫度、濃度和流速的均勻性。濕法刻蝕過(guò)程中質(zhì)量傳遞效率的提高可防止副產(chǎn)物在晶圓微結(jié)構(gòu)內(nèi)積聚，從而避免二次沉積。這項(xiàng)技術(shù)在500層以上的3D NAND，3D DRAM，3D 邏輯器件中有巨大的應(yīng)用前景。

盛美上海總經(jīng)理王堅(jiān)表示：

性能提升始終是首要的追求，通過(guò)專利申請(qǐng)中的集成氮?dú)夤呐菁夹g(shù)，盛美提升了Ultra C wb設(shè)備的工藝性能。批式處理工藝始終是濕法加工領(lǐng)域的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，與單晶圓濕法清洗相比，其在成本效益、生產(chǎn)效率及化學(xué)品消耗方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。

升級(jí)后的Ultra C wb設(shè)備具有以下全新特性與優(yōu)勢(shì)：

▲ 提升蝕刻均勻性：相較于傳統(tǒng)的槽式濕法清洗設(shè)備，Ultra C wb平臺(tái)配備了氮?dú)夤呐菁夹g(shù)，將晶圓內(nèi)以及晶圓間的濕法刻蝕均勻性提高了50%以上。

▲ 提高顆粒去除性能：在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)工藝中，Ultra C wb平臺(tái)的卓越清洗能力已被證明能夠高效去除特殊磷酸添加劑的有機(jī)殘留物。

▲ 擴(kuò)展工藝能力：升級(jí)后的清洗臺(tái)模塊已通過(guò)三道先進(jìn)節(jié)點(diǎn)工藝驗(yàn)證，包括：疊層氮化硅蝕刻、溝道孔多晶硅蝕刻以及柵極線鎢蝕刻，可搭配多種化學(xué)藥液使用，如磷酸、H4刻蝕液（一種常用于金屬薄膜蝕刻的混合酸溶液）、四甲基氫氧化銨（TMAH）、標(biāo)準(zhǔn)清洗液1（SC1 ）以及硅鍺（SiGe）刻蝕液等。此外，更多道工藝及應(yīng)用方案正在客戶工廠進(jìn)行開發(fā)。

▲ 自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)設(shè)計(jì)：專利申請(qǐng)中的氮?dú)夤呐菰O(shè)計(jì)可生成均勻分布的大尺寸氣泡，且氣泡密度精準(zhǔn)可控。該專利申請(qǐng)的氮?dú)夤呐莺诵募夹g(shù)可以應(yīng)用在盛美上海的Ultra C Tahoe（單片槽式組合清洗設(shè)備）平臺(tái)上，更好地解決客戶未來(lái)的工藝需求。