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瞻芯電子與浙江大學(xué)聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果，助力高壓應(yīng)用技術(shù)革新

CSPSD2025 | 二十余位專家學(xué)者共話硅、碳化硅器件及其他高壓功率器件新進(jìn)展！

CSPSD 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|電子科技大學(xué)章文通：基于電荷場(chǎng)調(diào)制機(jī)理的高溫高壓車規(guī)SOI超結(jié)BCD技術(shù)

中南大學(xué)何軍、鐘綿增，浙江大學(xué)李京波：通過調(diào)控電場(chǎng)分布實(shí)現(xiàn)高均勻性的耐高壓晶圓級(jí)4H-SiC紫外光電探測(cè)器

聞泰科技：公司預(yù)計(jì)包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開始逐步放量

超高壓碳化硅大功率芯片項(xiàng)目簽約

超高壓碳化硅大功率芯片項(xiàng)目成功簽約！

西電張進(jìn)成教授等在金剛石高壓功率器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

重大突破！吉林大學(xué)領(lǐng)銜，高壓人工合成出隕石中的超級(jí)鉆石“六方金剛石”

中國(guó)首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗(yàn)證

中國(guó)太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗(yàn)證

昕感科技申請(qǐng)一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯(cuò)率

一文解開遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件實(shí)現(xiàn)耐高壓的秘密

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

國(guó)產(chǎn)芯片！紅旗發(fā)布了首臺(tái)1700V超高壓碳化硅功率模塊樣品

是德科技推出適用于功率半導(dǎo)體的 3kV高壓晶圓測(cè)試系統(tǒng)

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

積塔半導(dǎo)體BCD復(fù)合高壓隔離器平臺(tái)開發(fā)團(tuán)隊(duì)：積沙成塔，用“芯”取得新突破

CASICON晶體大會(huì)前瞻|上海交通大學(xué)王亞林：高壓SiC功率模塊封裝、測(cè)試及應(yīng)用研究

CSPSD 2024論壇2：追蹤高壓器件設(shè)計(jì)、集成及封裝應(yīng)用發(fā)展趨勢(shì)

百識(shí)電子完成A+輪融資，加速耐高壓、大尺寸第三代半導(dǎo)體外延布局

斯達(dá)微電子高壓特色工藝功率芯片和SIC芯片項(xiàng)目設(shè)備搬入

北大團(tuán)隊(duì)研發(fā)超低動(dòng)態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

新疆首個(gè)高壓電力電子實(shí)驗(yàn)室投入使用

智己汽車聯(lián)席CEO劉濤：2024，決戰(zhàn)智能化！

新疆首個(gè)高壓電力電子實(shí)驗(yàn)室投入使用

小米發(fā)布 800V 碳化硅高壓平臺(tái)：最高電壓 871V，電池續(xù)航可超 1000km

東南大學(xué)溧陽(yáng)研究院中標(biāo)《高壓碳化硅功率模組封裝與集成技術(shù)研究服務(wù)》項(xiàng)目

有研硅：主要用于高壓IGBT的8英寸區(qū)熔硅片已進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段

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