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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|香港大學張宇昊：面向高壓、高溫及高功率的氧化鎵器件及應用

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|電子科技大學鄧小川：高壓碳化硅MOSFET器件性能提升技術的發(fā)展及其挑戰(zhàn)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|英飛凌宋清亮：基于英飛凌GaN晶體管的高壓直流中間總線變換器的參考設計

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|大連理工大學黃火林：氮化鎵高壓增強型功率器件與可靠性技術進展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|波蘭科學院高壓物理研究所Piotr Perlin：氮化物激光二極管-挑戰(zhàn)和解決方案

Imec啟動300mm GaN項目，專注低壓和高壓功率電子器件的300mm GaN技術

西電郝躍院士團隊張進成教授、周弘教授取得百安千伏級高壓氧化鎵功率器件研究突破

派瑞股份與西電所簽署合作協(xié)議，研發(fā)制造中高壓IGBT功率器件

北理工課題組在極端環(huán)境下金剛石高壓合成方面取得新進展

國家重點研發(fā)計劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應釜設計制造技術”項目啟動暨實施方案論證會召開

四部門：加快高壓碳化硅模塊、主控芯片等核心器件國產(chǎn)化替代

瞻芯電子與浙江大學聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果，助力高壓應用技術革新

CSPSD2025 | 二十余位專家學者共話硅、碳化硅器件及其他高壓功率器件新進展！

CSPSD 2025前瞻|中國科學技術大學楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|電子科技大學章文通：基于電荷場調(diào)制機理的高溫高壓車規(guī)SOI超結(jié)BCD技術

中南大學何軍、鐘綿增，浙江大學李京波：通過調(diào)控電場分布實現(xiàn)高均勻性的耐高壓晶圓級4H-SiC紫外光電探測器

聞泰科技：公司預計包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開始逐步放量

超高壓碳化硅大功率芯片項目簽約

超高壓碳化硅大功率芯片項目成功簽約！

西電張進成教授等在金剛石高壓功率器件領域取得重要進展

重大突破！吉林大學領銜，高壓人工合成出隕石中的超級鉆石“六方金剛石”

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

昕感科技申請一種終端復合結(jié)構及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯率

一文解開遠山氮化鎵功率器件實現(xiàn)耐高壓的秘密

遠山半導體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

國產(chǎn)芯片！紅旗發(fā)布了首臺1700V超高壓碳化硅功率模塊樣品

是德科技推出適用于功率半導體的 3kV高壓晶圓測試系統(tǒng)

揚杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

積塔半導體BCD復合高壓隔離器平臺開發(fā)團隊：積沙成塔，用“芯”取得新突破

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