11月28日，中國證監(jiān)會國際合作司發(fā)布關于英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司境外發(fā)行上市備案通知書，公司擬發(fā)行不超過106,539,400股境外上市普通股并在香港聯(lián)合交易所上市。公司51名股東擬將所持合計444,228,787股境內未上市股份轉為境外上市股份，并在香港聯(lián)合交易所上市流通。

英諾賽科是全球第一家實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)的企業(yè)，在極短時間內打破了國外公司在氮化鎵功率芯片設計和生產(chǎn)制造領域對中國市場、甚至全球市場的壟斷。按收入計，英諾賽科2023年在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名第一。

氮化鎵（GaN）是由人工合成的一種半導體材料，是第三代半導體材料的典型代表。相比于硅、砷化稼等第一、二代半導體材料，第三代半導體材料具備高功率、耐高溫、耐高壓等多個方面的明顯優(yōu)勢。

氮化鎵產(chǎn)品如今已經(jīng)廣泛應用在了消費電子快充、新能源汽車、工業(yè)等領域。英諾賽科也已經(jīng)收獲小米、OPPO、比亞迪等眾多大客戶。

目前，英諾賽科實現(xiàn)了集芯片設計、芯片制造、芯片封裝和測試等多個產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)于一身，采用IDM業(yè)務模式（即全產(chǎn)業(yè)鏈模式）。客戶包括半導體制造服務供應商、專門從事可再生能源技術的高科技公司以及汽車OEM的一級供應商。

2021年至2023年，英諾賽科實現(xiàn)的營收分別為0.68億元、1.36億元和5.92億元，2022年同比增長99.7%，2023年增長335.2%，復合年增長率為194.8%。

收入持續(xù)增長的英諾賽科，目前仍未實現(xiàn)盈利。報告期內，英諾賽科經(jīng)營虧損金額分別10億元、11.8億元和9.8億元，合計31.6億元。

英諾賽科表示，公司持續(xù)虧損原因在于生產(chǎn)設備大幅折舊、大額研發(fā)開支、銷售及營銷開支的不斷增加。

分產(chǎn)品來看，英諾賽科提供分立器件及集成電路、晶圓、模組等產(chǎn)品。2023年，英諾賽科開始供應氮化鎵模組，分立器件及集成電路、晶圓、模組三大產(chǎn)品的營收占比分別為32.4%、35.2%、32.1%。

據(jù)招股書，2021年至2023年，中國市場始終是英諾賽科的業(yè)務重心，其收入分別為0.68億、1.3億及5.35億，占同年總收益的99.7%、95.5%及90.2%。

值得關注的是，英諾賽科在海外市場也實現(xiàn)了擴張。

除了在蘇州、珠海建立工廠外，英諾賽科同時在硅谷、首爾、比利時等地設立子公司。2023年，英諾賽科已向國內和海外（包括亞洲、歐洲和北美）約100名客戶提供了氮化鎵產(chǎn)品。2021年至2023年，公司海外市場占同年總收益的0.3%、4.5%及9.8%，2023年營收接近0.58億元。

研發(fā)投入方面，2021年至2023年，其研發(fā)開支分別為6.62億元、5.81億元及3.49億元，分別占同年總運營開支的76.1%、68.4%及50.8%。

英諾賽科稱，研發(fā)開支有所減少，主要是自2022年第二季度起，英諾賽科從研發(fā)階段進展至大規(guī)模生產(chǎn)階段。

英諾賽科在招股書中提到，截至2023年底，公司擁有397名研發(fā)人員。公司在全球有約700項專利和專利申請，涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓制造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。

值得一提的是，英諾賽科還擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產(chǎn)基地。截至2023年12月31日，產(chǎn)能達到每月10000片晶圓，實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)規(guī)模的商業(yè)化，晶圓良率超過95%。

2021年至2023年，英諾賽科的產(chǎn)能利用率分別為72.3%、69.8%及71.8%。

英諾賽科IPO募集所得資金凈額將主要用于擴大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能、購買并升級生產(chǎn)設備與機器，以及招聘生產(chǎn)人員；研發(fā)并擴大產(chǎn)品組合擴大氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡等方面。

 來源：財聯(lián)社、創(chuàng)業(yè)邦