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【CASICON 2021】青島聚能創(chuàng)芯劉海豐：面向快充應用的GaN材料和器件技術(shù)

【CASICON 2021】愛發(fā)科左超：量產(chǎn)高性能功率與射頻器件的 ULVAC裝備技術(shù)

【CASICON 2021】南京大學葉建東：氧化鎵雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究

【CASICON 2021】南京大學陳鵬：低開啟/超高壓GaN肖特基功率器件研究新進展

上海電氣：計劃在8-10年內(nèi)成為上海電氣功率半導體器件集成封裝/測試的公共平臺，打造第三代半導體產(chǎn)品（SiC）

【CASICON 2021】電子科技大學鄧小川：極端應力下碳化硅功率MOSFET的動態(tài)可靠性研究

【CASICON 2021】中科院上海微系統(tǒng)研究所鄭理：SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)

聞泰科技：加強在中高壓Mosfet、化合物半導體產(chǎn)品SiC和GaN產(chǎn)品、以及模擬類產(chǎn)品的研發(fā)投入

【CASICON 2021】美國弗吉尼亞理工大學張宇昊：超過SiC限制的 1.2-10 kV GaN功率器件

【CASICON 2021】第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山：中國功率與射頻技術(shù)市場現(xiàn)狀及未來展望

【CASICON 2021】啟迪半導體鈕應喜：碳化硅外延裝備及技術(shù)進展

【CASICON 2021】中國科學技術(shù)大學龍世兵：低成本高性能氧化鎵功率器件

【CASICON 2021】東南大學教授劉斯揚：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展

【CASICON 2021】Crosslight創(chuàng)始人李湛明：將GaN功率器件推向極限——材料和TCAD視角

【CASICON 2021】云南鍺業(yè)公司首席科學家惠峰：VCSEL用六英寸超低位錯密度砷化鎵單晶片研制及應用

【CASICON 2021】湖南國芯半導體科技戴小平：SiC模塊封裝技術(shù)探討

【CASICON 2021】中國電科首席科學家陳堂勝：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件

【CASICON 2021】南京工業(yè)職業(yè)技術(shù)大學雷建明：GaN功率開關(guān)器件及其高頻電源應用

CASICON 2021前瞻：6 inch GaAs 基 VCSEL 和射頻外延技術(shù)

CASICON 2021前瞻：碳化硅MOSFET技術(shù)問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進展

CASICON 2021前瞻：1kV寬禁帶LLC變換器控制與應用

CASICON 2021前瞻：碳化硅與金剛石單晶襯底技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化研究

CASICON 2021前瞻：金剛石微波功率器件研究

CASICON 2021前瞻：碳化硅外延裝備及技術(shù)進展

CASICON 2021前瞻：VCSEL用六英寸超低位錯密度砷化鎵單晶片研制及應用

CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效應用的GaN HEMT增強型器件技術(shù)

CASICON 2021前瞻：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展

舍弗勒新型800V電控采用SiC技術(shù)

國產(chǎn)SiC & GaN功率器件已達國際一流水平，組建歐洲銷售團隊“出海"

CASICON 2021前瞻：低成本高性能氧化鎵半導體功率電子器件

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