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CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)徐躍杭:金剛石半導(dǎo)體器件可靠性新機(jī)制

四方達(dá)：自主研發(fā)的MPCVD設(shè)備及CVD金剛石工藝已得到批量驗(yàn)證

中國科學(xué)院微電子所在厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

廈門大學(xué)于大全教授團(tuán)隊(duì)與華為團(tuán)隊(duì)合作在先進(jìn)封裝金剛石散熱技術(shù)領(lǐng)域取得突破

哈工大鄭州研究院在CVD法制備純凈分散納米金剛石技術(shù)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

科學(xué)家研發(fā)出新型散熱材料超薄金剛石膜可將電動(dòng)汽車充電速度提升五倍

廈大、華為合作，實(shí)現(xiàn)具有超低邊界熱阻的硅/多晶金剛石鍵合

第四代半導(dǎo)體迎來新進(jìn)展相關(guān)A股公司搶抓“新風(fēng)口”

新進(jìn)展！西安交通大學(xué)實(shí)現(xiàn)2英寸單晶金剛石異質(zhì)外延自支撐襯底量產(chǎn)

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團(tuán)隊(duì)在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進(jìn)展

日本團(tuán)隊(duì)：金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展

大阪公立大學(xué)梁劍波：增強(qiáng) GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能，以適應(yīng)實(shí)際器件應(yīng)用

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

四方達(dá)：年產(chǎn)70萬克拉的功能性金剛石產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目已開工進(jìn)入建設(shè)期

中兵紅箭：正在研發(fā)金剛石半導(dǎo)體襯底材料

太原理工大學(xué)和武漢大學(xué)在金剛石/氮化鎵薄膜生長工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進(jìn)展

IFWS 2023│中國電子科技集團(tuán)第四十六研究所孫杰：高導(dǎo)熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能

平煤神馬年產(chǎn)100萬克拉CVD金剛石功能材料項(xiàng)目開工總投資約4億元

干勇院士：半導(dǎo)體器件是金剛石重點(diǎn)發(fā)展領(lǐng)域

中國科學(xué)院院士鄒廣田：金剛石不僅能用作半導(dǎo)體，未來應(yīng)用領(lǐng)域更廣

國內(nèi)最大CVD金剛石生產(chǎn)基地開建

山東大學(xué)徐明升：金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管及深紫外光電探測(cè)研究

化合積電黃開斌：金剛石基光電探測(cè)及激光器技術(shù)進(jìn)展

西安交通大學(xué)王瑋：低功函數(shù)柵極增強(qiáng)型氫終端單晶金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究

CASICON西安站前瞻|西安交通大學(xué)王瑋：低功函數(shù)柵極增強(qiáng)型氫終端單晶金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究

基于金剛石的先進(jìn)熱管理技術(shù)研究進(jìn)展

簡述金剛石在 GaN 功率放大器熱設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

總投資15億元！鑫磊半導(dǎo)體集成電路金剛石基片項(xiàng)目簽約落地甘肅

簡述影響 MPCVD 法制備金剛石質(zhì)量的因素研究

簡述Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長技術(shù)與機(jī)理研究進(jìn)展

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