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廣州拓諾稀科技氧化鎵外延項目即將投產(chǎn)

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學賀小敏：氧化鎵異質(zhì)外延生長及材料特性研究

鎵仁半導體與德國NextGO.Epi攜手，推動氧化鎵應用

CSPSD 2025前瞻|中國科學技術大學徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

CSPSD 2025前瞻|九峰山實驗室袁?。盒滦投嗉墱喜?span id="erntz49" class="highlight">氧化鎵功率器件的研究

CSPSD 2025前瞻|南京大學葉建東：氧化鎵異質(zhì)結構與器件

九峰山實驗室推氧化鎵科研級功率單管及coupon to wafer流片平臺

【全球首發(fā)】8英寸氧化鎵晶圓襯底震撼問世｜杭州鎵仁邀您SEMICON見證半導體產(chǎn)業(yè)新突破

全球首發(fā)! 杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶，開啟第四代半導體氧化鎵新時代

鎵仁半導體董事長張輝：大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶材料進展 | CASICON重慶站

CASICON重慶站：全面聚焦氮化鎵、氧化鎵、金剛石功率半導體技術及應用發(fā)展

研制成功！我國團隊在氧化鎵日盲光電探測器領域取得重要進展

新突破|鎵仁半導體實現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜

鎵仁半導體氧化鎵單晶生長突破性成果在晶體領域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表

一批半導體項目簽約衢州涉及氧化鎵、氮化鋁單晶襯底等

鎵仁半導體成功制備VB法(非銥坩堝)4英寸氧化鎵單晶

半導體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測器方面取得新進展

杭州鎵仁半導體氧化鎵襯底技術突破，助力客戶實現(xiàn)2400V增強型晶體管

寧波材料所與鄭州大學實現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質(zhì)結器件突破

上海微系統(tǒng)所科研團隊在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領域取得突破性進展

鎵和半導體李山：氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究

張道華院士：超寬禁帶半導體氧化鎵和氮化鋁特性研究

杭州鎵仁半導體實現(xiàn)直拉法2英寸N型氧化鎵單晶生長

深圳平湖實驗室在氧化鎵理論研究方面取得重要進展

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗證

鎵仁半導體：鑄造法成功生長超厚6英寸氧化鎵單晶！

鎵仁半導體成功制備VB法(非銥坩堝)2英寸氧化鎵單晶

日本FOX公司計劃2028年量產(chǎn)6英寸氧化鎵晶圓

杭州鎵仁半導體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

鎵仁半導體推出氧化鎵專用長晶設備

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