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極鉬芯科技攜手南京大學(xué)榮登《Science》！突破二維半導(dǎo)體單晶制備關(guān)鍵技術(shù)

科友半導(dǎo)體成功制備12英寸半絕緣碳化硅單晶，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破

天成半導(dǎo)體成功研制12英寸高純半決絕緣單晶材料

年產(chǎn)值2.3億元，氮化鎵單晶襯底項(xiàng)目，已全面達(dá)產(chǎn)

2025云南晶體大會(huì)前瞻|山東大學(xué)楊祥龍：8/12英寸碳化硅單晶襯底材料的研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|昆明物理研究所董衛(wèi)民：紅外探測(cè)用半導(dǎo)體單晶材料研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?鑫耀半導(dǎo)體劉漢保：基于VGF法的低氧含量半絕緣砷化鎵單晶生長(zhǎng)工藝優(yōu)化及電學(xué)性質(zhì)研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?云南鍺業(yè)惠峰：鍺、三五族化合物半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所沈桂英：InP、GaSb與InAs單晶生長(zhǎng)、襯底制備及缺陷研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?山東大學(xué)陳秀芳：碳化硅單晶材料技術(shù)及應(yīng)用

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 富加鎵業(yè)陳端陽：氧化鎵單晶襯底及外延技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|鑫耀半導(dǎo)體韋華：VGF法磷化銦熱場(chǎng)優(yōu)化控制對(duì)單晶缺陷形成的影響

2025云南晶體大會(huì)前瞻|昆明云鍺李寶學(xué)：大尺寸紅外鍺單晶的研究進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院微電子所研發(fā)成功互補(bǔ)單晶硅垂直溝道晶體管（CVFET）

華芯晶電獲批合物半導(dǎo)體單晶襯底制備技術(shù)山東省工程研究中心

江蘇集芯首枚8英寸液相法高質(zhì)量碳化硅單晶出爐！

爍科晶體年產(chǎn)100萬毫米碳化硅單晶項(xiàng)目正式啟動(dòng)！

安徽聯(lián)效大尺寸半導(dǎo)體級(jí)單晶硅棒生產(chǎn)項(xiàng)目10月投產(chǎn)

肥東大尺寸半導(dǎo)體級(jí)單晶硅棒項(xiàng)目將投產(chǎn)

天成半導(dǎo)體成功研發(fā)12英寸N型碳化硅單晶材料！

西湖儀器：超薄片單晶金剛石加工技術(shù)新突破！

國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應(yīng)釜設(shè)計(jì)制造技術(shù)”項(xiàng)目啟動(dòng)暨實(shí)施方案論證會(huì)召開

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

重磅發(fā)布 | 2項(xiàng)SiC單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

山東大學(xué)/晶鎵半導(dǎo)體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

投資3.9億元，同光科技年產(chǎn)7萬片碳化硅單晶襯底項(xiàng)目

廣州南砂晶圓申請(qǐng)用于PVT法生長(zhǎng)碳化硅單晶的裝料裝置及應(yīng)用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質(zhì)量

天岳先進(jìn)SiC單晶項(xiàng)目即將投產(chǎn)

總投資11億元！磷化銦單晶襯底片項(xiàng)目簽約落戶江門

投資100億！高溫超導(dǎo)硅單晶設(shè)備及晶體生產(chǎn)項(xiàng)目開工！

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